[實用新型]一種緩變摻雜終端結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821887879.6 | 申請日: | 2018-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN208889660U | 公開(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡興正;陳虞平;劉海波 | 申請(專利權(quán))人: | 南京華瑞微集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/266 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 211899 江蘇省南京市浦*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 終端結(jié)構(gòu) 襯底 減小 耐壓 終端 場限環(huán) 緩變 主結(jié) 本實用新型 掩蔽層 摻雜 連續(xù)層狀結(jié)構(gòu) 電場分布 高壓器件 平衡終端 場板 可用 內(nèi)端 | ||
1.一種緩變摻雜終端結(jié)構(gòu),包括外延襯底,所述外延襯底內(nèi)端上部設(shè)有主結(jié),所述主結(jié)外側(cè)的外延襯底內(nèi)上部設(shè)有場限環(huán),其特征在于,所述主結(jié)的外側(cè)與場限環(huán)的內(nèi)側(cè)連接,所述場限環(huán)為從內(nèi)向外的深度由淺變深的連續(xù)層狀結(jié)構(gòu),所述外延襯底的上側(cè)設(shè)有掩蔽層,所述掩蔽層的上側(cè)設(shè)有場板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩變摻雜終端結(jié)構(gòu),其特征在于,所述掩蔽層的厚度為至
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩變摻雜終端結(jié)構(gòu),其特征在于,所述場板的厚度為至
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩變摻雜終端結(jié)構(gòu),其特征在于,所述場限環(huán)的最大深度為6至8μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





