[實用新型]等離子體發生設備

有效

• 申請號: 201821886144.1
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN209402811U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 李松舉;付東
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 黃菲

本實用新型涉及一種等離子體發生設備，包括反應腔體以及設置在反應腔體內的接地電極和射頻電極；接地電極包括電極板以及連接于電極板一側的多個棒狀電極，電極板具有通氣腔，通氣腔用于與反應氣體源連通，棒狀電極設有與通氣腔相連通的通氣孔，射頻電極上對應多個棒狀電極設有多個電極通孔，接地電極設置在射頻電極之上，且多個棒狀電極分別伸入于多個電極通孔內，接地電極與射頻電極之間電絕緣。工作時，經棒狀電極通入反應氣體，射頻電極連通射頻電源后，接地電極與射頻電極在電極通孔的狹小空間中互相耦合，使得駐波效應只存在于狹小的空間，從而能夠有效減弱駐波效應，顯著提高膜厚均勻性。

技術領域

本實用新型涉及材料制備領域，特別是涉及一種等離子體發生設備。

背景技術

半導體相關生產行業中，等離子增強化學氣相沉積(PECVD)以其沉積快速、低工藝溫度以及重復性好等特點，成為沉積薄膜材料的最常用的方法之一。例如在TFT制程中，PECVD可以制作有源層、無機絕緣層以及鈍化層等功能層，在OLED等發光器件的封裝制程中，PECVD可以制作水氧阻擋層。

等離子體的產生方法包括電容耦合等離子體法(CCP)和電感耦合等離子法(ICP)。其中，電容耦合等離子體法可在射頻電壓施加于相對的平行面板電極，通過電極之間產生的電場使原材料轉變為產生等離子體，而電感耦合等離子體可通過天線所感生出來的感應電場使原材料轉變為等離子體。

傳統的等離子體產生設備是在上下電極板之間加載射頻電源，產生的等離子體在腔室內存在駐波效應，會使得薄膜產物中間較厚、四周較薄，而膜厚的不均勻將對器件的性能造成不利影響。

實用新型內容

基于此，有必要提供一種等離子體發生設備，以解決采用傳統的等離子體產生設備制備半導體器件功能層時膜厚不均勻的問題。

一種等離子體發生設備，包括反應腔體以及設置在所述反應腔體內的接地電極和射頻電極；所述接地電極包括電極板以及電連接于所述電極板一側的多個棒狀電極，所述電極板具有用于與反應氣體源連通的通氣腔，所述棒狀電極上設有與所述通氣腔相連通的通氣孔，所述通氣孔貫穿所述棒狀電極遠離所述電極板的一側，所述射頻電極上設有與所述棒狀電極一一對應的電極通孔，所述接地電極設于所述射頻電極的上方，且各所述棒狀電極分別伸入至各所述電極通孔內，所述接地電極與所述射頻電極之間電絕緣。

與現有方案相比，本實用新型具有以下有益效果：

上述等離子體發生設備，接地電極包括電極板以及連接于電極板一側的多個棒狀電極，電極板具有通氣腔，棒狀電極設有與通氣腔相連通的通氣孔，接地電極的棒狀電極伸入于射頻電極的電極通孔內，工作時，經棒狀電極的通氣孔通入反應氣體，射頻電極連通射頻電源后，接地電極與射頻電極在電極通孔的狹小空間中互相耦合，使得駐波效應只存在于狹小的空間，從而能夠有效減弱駐波效應，顯著提高膜厚均勻性。

附圖說明

圖1為一實施例的等離子體發生設備的結構示意圖；

圖2為圖1所示的等離子體發生設備中接地電極的結構示意圖；

圖3為圖1所示的等離子體發生設備中接地電極的另一視角的結構示意圖；

圖4為圖1所示的等離子體發生設備中射頻電極的結構示意圖；

圖5為圖1所示的等離子體發生設備中射頻電極的另一視角的結構示意圖；

圖6為圖1所示的等離子體發生設備中隔離裝置的結構示意圖；

圖7為一長度的棒狀電極伸入電極通孔的結構示意圖；

圖8為另一長度的棒狀電極伸入電極通孔的結構示意圖。

具體實施方式