[實用新型]晶圓傳送盒、裝載端口以及半導體移送設備

有效

• 申請號: 201821885518.8
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN209169118U
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本實用新型提供一種晶圓傳送盒、裝載端口以及半導體移送設備，其通過在晶圓傳送盒中增加氮氣吹掃，減少晶圓沉積膜時產生的氣體與晶圓傳送盒內的氧氣及水蒸氣發生化學反應產生缺陷，進而影響產品良率的問題。所述晶圓傳送盒被所述裝載端口承載，在所述晶圓傳送盒的被承載面上設置有：第一注入口，從所述裝載端口的內部向所述第一注入口注入第一氣體；以及第一排出口，從所述第一排出口向所述裝載端口的內部排出第二氣體。

技術領域

本實用新型涉及一種晶圓傳送盒、裝載端口以及半導體移送設備，具體而言，涉及一種氣體吹掃晶圓傳送盒、氣體吹掃裝載端口以及半導體移送設備。

背景技術

隨著集成電路半導體集成度的增加，對各項制程的環境要求越來越高，對存放晶圓的晶圓傳送盒(Front Open Unified Pod，FOUP)的清潔度要求也越來越高。

而在現有的晶圓傳送盒內，晶圓(Wafer)沉積膜(Wafer Depo Film)時產生的氣體(Out gassing)與大氣所含有的氧氣及水蒸氣可能會發生化學反應，導致晶圓表面缺陷，影響產品良率。

為了解決上述問題，本實用新型提出一種晶圓傳送盒、裝載端口以及半導體移送設備，以提高晶圓傳送盒內的清潔度，提高產品良率。

實用新型內容

實用新型要解決的課題

為了解決現有技術中存在的上述問題，本實用新型提供一種氮氣吹掃晶圓傳送盒、氮氣吹掃裝載端口以及半導體移送設備，以解決晶圓傳送盒中的晶圓與周圍氣氛發生化學反應，產生缺陷影響產品良率的問題。

用于解決問題的方案

本實用新型的第一方案是一種晶圓傳送盒，被裝載端口承載，在所述晶圓傳送盒的被承載面上設置有：

第一注入口，從所述裝載端口的內部向所述第一注入口注入第一氣體；以及

第一排出口，從所述第一排出口向所述裝載端口的內部排出第二氣體。

優選地，在所述晶圓傳送盒中，

所述裝載端口控制所述第一氣體及所述第二氣體的流量及流速。

優選地，在所述晶圓傳送盒中，

所述第一氣體為氮氣，所述第二氣體包括晶圓沉積膜時產生的氣體、氧氣及水蒸氣中的至少一種。

優選地，在所述晶圓傳送盒中，

所述第一注入口和所述第一排出口是孔或噴嘴。

優選地，在所述晶圓傳送盒中，

所述第一注入口和所述第一排出口的數量的比例為3比1。

本實用新型的第二方案是一種裝載端口，用于承載晶圓傳送盒，在所述裝載端口的承載面上設置有：

第二排出口，所述第二排出口向所述晶圓傳送盒的內部注入第一氣體；以及

第二注入口，所述第二注入口接收從所述第一排出口排出的第二氣體。

優選地，在所述裝載端口中，還包括：

氣體控制部，控制所述第一氣體及所述第二氣體的流量及流速。

優選地，在所述裝載端口中，

所述第一氣體為氮氣，所述第二氣體包括晶圓沉積膜時產生的氣體、氧氣及水蒸氣中的至少一種。

優選地，在所述裝載端口中，

所述氣體控制部包括氮氣流量傳感器、氮氣泄露傳感器、氧氣濃度傳感器和質量流量控制器中的至少一種。

優選地，在所述裝載端口中，