[實用新型]晶圓傳送盒、裝載端口以及半導體移送設備有效
| 申請號: | 201821885518.8 | 申請日: | 2018-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN209169118U | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓傳送盒 裝載端口 移送設備 排出口 注入口 半導體 承載 化學反應 水蒸氣 本實用新型 氮氣吹掃 影響產品 沉積膜 傳送盒 晶圓 良率 排出 種晶 氧氣 | ||
1.一種晶圓傳送盒,被裝載端口承載,在所述晶圓傳送盒的被承載面上設置有:
第一注入口,從所述裝載端口的內部向所述第一注入口注入第一氣體;以及
第一排出口,從所述第一排出口向所述裝載端口的內部排出第二氣體。
2.如權利要求1所述的晶圓傳送盒,其特征在于,
所述裝載端口控制所述第一氣體及所述第二氣體的流量及流速。
3.如權利要求2所述的晶圓傳送盒,其特征在于,
所述第一氣體為氮氣,所述第二氣體包括晶圓沉積膜時產生的氣體、氧氣及水蒸氣中的至少一種。
4.如權利要求1至3的任一項所述的晶圓傳送盒,其特征在于,
所述第一注入口和所述第一排出口是孔或噴嘴。
5.如權利要求4所述的晶圓傳送盒,其特征在于,
所述第一注入口和所述第一排出口的數量的比例為3比1。
6.一種裝載端口,用于承載晶圓傳送盒,在所述裝載端口的承載面上設置有:
第二排出口,所述第二排出口向所述晶圓傳送盒的內部注入第一氣體;以及
第二注入口,所述第二注入口接收從所述第一排出口排出的第二氣體。
7.如權利要求6所述的裝載端口,其特征在于,還包括:
氣體控制部,控制所述第一氣體及所述第二氣體的流量及流速。
8.如權利要求7所述的裝載端口,其特征在于,
所述第一氣體為氮氣,所述第二氣體包括晶圓沉積膜時產生的氣體、氧氣及水蒸氣中的至少一種。
9.如權利要求7所述的裝載端口,其特征在于,
所述氣體控制部包括氮氣流量傳感器、氮氣泄露傳感器、氧氣濃度傳感器和質量流量控制器中的至少一種。
10.如權利要求6至9的任一項所述的裝載端口,其特征在于,
所述第二排出口和所述第二注入口是孔或噴嘴。
11.如權利要求10所述的裝載端口,其特征在于,
所述第二排出口和所述第二注入口的數量的比例為3比1。
12.一種半導體移送設備,包括晶圓傳送盒和裝載端口,所述晶圓傳送盒被所述裝載端口承載,其特征在于,
在所述晶圓傳送盒的被承載面上設置有:
第一注入口,從所述裝載端口的內部向所述第一注入口注入第一氣體;以及
第一排出口,從所述第一排出口向所述裝載端口的內部排出第二氣體,
在所述裝載端口的用于承載所述晶圓傳送盒的承載面上設置有:
第二排出口,與所述第一注入口對應地設置,所述第二排出口通過所述第一注入口向所述晶圓傳送盒的內部注入所述第一氣體;以及
第二注入口,與所述第一排出口對應地設置,所述第二注入口接收從所述第一排出口排出到所述裝載端口的內部的第二氣體。
13.如權利要求12所述的半導體移送設備,其特征在于,
所述裝載端口還包括:
氣體控制部,控制所述第一氣體及所述第二氣體的流量及流速。
14.如權利要求13所述的半導體移送設備,其特征在于,
所述第一氣體為氮氣,所述第二氣體包括晶圓沉積膜時產生的氣體、氧氣及水蒸氣中的至少一種。
15.如權利要求13所述的半導體移送設備,其特征在于,
所述氣體控制部包括氮氣流量傳感器、氮氣泄露傳感器、氧氣濃度傳感器和質量流量控制器中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





