[實用新型]一種掩模版取放裝置、曝光系統及光刻機

有效

• 申請號: 201821877705.1
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN208922065U
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 沈雪;蘇延洪;柯汎宗;黃志凱;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本實用新型提供了一種掩模版取放裝置、曝光系統及光刻機，所述掩模版取放裝置包括一對極性相反的電極板、正離子吸附組件、負離子吸附組件及一電源，所述電極板中的正極板連接于所述電源的正極，負極板連接于所述電源的負極，所述正離子吸附組件設置于所述負極板的靠近所述正極板的一端面上，所述負離子吸附組件設置于所述正極板的靠近所述負極板的一端面上，所述正離子吸附組件用于吸附所述掩模版周邊的硫酸根離子，所述負離子吸附組件用于吸附所述掩模版周邊的氨根離子。能夠有效去除掩模版周圍的硫酸根離子和氨根離子，改善了掩模版上霾斑的產生，提高了掩模版的曝光圖形的質量。此外，還降低了生產成本，提高了生產產能。

技術領域

本實用新型屬于半導體設備制造領域，涉及一種掩模版取放裝置、曝光系統及光刻機。

背景技術

光學投影光刻是利用光學投影成像的原理，將掩模版上的圖形以分步重復或步進掃描曝光的方式將高分辨力圖形轉移到涂膠硅片上的光學曝光過程，它和照片沖印技術類似，只是硅片取代了印相紙，電路圖形的掩模版取代了底片，掩模版通常是鍍有鉻層的石英玻璃板，鉻層根據電路圖形被刻蝕成透光和不透光部分，但是掩模版存在一常見的缺陷是霾斑，霾斑通常形成于掩模版的透光區域，導致霾斑會在掩模版的每次曝光過程中被曝光到硅片上，從而影響了曝光圖形質量，此外，霾斑還會隨著掩模版使用時間的延長不斷加深顏色并且變大，嚴重影響了曝光圖形質量。

霾斑的形成原理如下：

在高能光子的激發下，含氨根離子和硫酸根離子的化合物與環境中的水、二氧化碳發生反應生成的鹽類化合物就是霾斑。

其化學反應式為：

氨根離子和硫酸根離子來源于工作環境，即使半導體的加工制造對凈化室的凈化等級有一定的標準，但是仍無法避免氨根離子和硫酸根離子的存在。在目前的生產過程中，掩模版出現霾斑等缺陷是通過把掩模版返廠拆除保護膜做全面清洗來解決的，導致清洗成本高，還降低了產能。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種掩模版取放裝置、曝光系統及光刻機，以提高掩模版的曝光圖形的質量。

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種掩模版取放裝置，包括一對極性相反的電極板、正離子吸附組件、負離子吸附組件及一電源，所述電極板中的正極板連接于所述電源的正極，負極板連接于所述電源的負極，所述正離子吸附組件設置于所述負極板的靠近所述正極板的一端面上，所述負離子吸附組件設置于所述正極板的靠近所述負極板的一端面上，所述正離子吸附組件用于吸附所述掩模版周邊的硫酸根離子，所述負離子吸附組件用于吸附所述掩模版周邊的氨根離子。

優選地，所述正離子吸附組件由正離子吸附材料組成，所述正離子吸附材料包括鎂鹽和磷鹽。

優選地，所述負離子吸附組件由負離子吸附材料組成，所述負離子吸附材料包括Ba²⁺或Ca²⁺。

優選地，包括一組或多組成對設置的所述正、負離子吸附組件。

優選地，還包括傳感器和控制器，所述傳感器用于檢測環境中的所述硫酸根離子或所述氨根離子，所述傳感器與所述控制器通信連接，所述傳感器檢測到所述硫酸根離子或所述氨根離子時，所述控制器分別控制所述正、負極板通電。

優選地，所述掩模版取放裝置為機械手臂或掩模版存儲裝置。

優選地，所述掩模版存儲裝置為掩模版庫、掩模版盒或光刻機的掩模版緩存盒。

本實用新型還提供了一種光刻機的曝光系統，包括上述的一種掩模版取放裝置。

本實用新型還提供了一種光刻機，包括上述的一種光刻機的曝光系統。