[實用新型]一種氮化鎵器件

有效

• 申請號: 201821877443.9
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN208873713U
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 李孟;李幸輝;羅廣豪
• 申請（專利權）人: 鎵能半導體（佛山）有限公司;佛山華玉股權投資合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 北京易捷勝知識產權代理事務所(普通合伙) 11613
• 代理人: 齊勝杰

本實用新型提供一種氮化鎵器件，所述氮化鎵器件包括：包括氮化鎵裸芯片，引線框架的引腳和用于對所述氮化鎵裸芯片進行散熱的基島；所述氮化鎵裸芯片正面的電極采用引線與所述引腳連接，所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島直接接觸；所述氮化鎵裸芯片、所述引腳和所述基島封裝成一個氮化鎵器件，且部分基島外露在所述氮化鎵器件的頂部。本實用新型能夠解決現有氮化鎵裸芯片在封裝成貼片的器件時，封裝材料的熱阻高，散熱效果差，不利于發揮氮化鎵功率管的電流通過能力問題，同時能解決在貼片功率器件頂部安裝散熱片的問題。

技術領域

本實用新型涉及氮化鎵裸芯片的封裝技術，特別是一種氮化鎵器件。

背景技術

業內將從晶圓上切割下來，在封裝前的單個單元的裸芯片叫做die。功率開關管均是封裝后的芯片/器件。功率開關管在工作過程中會產生熱量，積累的熱量可能會讓開關管的性能變差，甚至損壞開關管，因此需要在功率開關管的die封裝成器件的過程中，想辦法將芯片的熱量散發到外部的環境中。

現有技術中常用的SMD封裝器件，其結構一般為兩種，一是沒有外露散熱金屬片的全包封結構，這類型封裝的器件，主要通過封裝材料將內部die的熱量傳導或輻射到空氣中這個途徑來散熱。因器件的封裝材料一般熱阻較大，此類型的封裝散熱能力有限，一般只適用于工作時只需要通過小電流的器件使用。

另一種是在器件底部配置有散熱片，如圖1和圖2所示，在封裝結構內部，將散熱片和內部的die通過粘貼、焊接等低熱阻的連接方式連在一起，如此die在工作中產生的熱量，可通過低熱阻的途徑傳輸到散熱片上，同時器件裝配到PCB上時，還可通過PCB上的銅箔、過孔等方式加強散熱。此類型的封裝，因其內部集成的散熱片面積有限，PCB的導熱能力也有限，在大電流的應用場合，散熱能力也不足。SOP-8封裝底部帶散熱片的形式如圖1所示，DFN封裝底部帶散熱片的形式如圖2所示。

實用新型內容

針對現有技術中的問題，本實用新型提供一種導熱性能好且散熱能力強的氮化鎵器件及氮化鎵器件的封裝方法。

第一方面，本實用新型提供一種氮化鎵器件，包括氮化鎵裸芯片，引線框架的引腳，用于對所述氮化鎵裸芯片進行散熱的基島；

所述氮化鎵裸芯片正面的電極采用引線與所述引腳連接，

所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島直接接觸；

所述氮化鎵裸芯片、所述引腳和所述基島封裝成一個氮化鎵器件，且部分基島外露在所述氮化鎵器件的頂部。

可選地，外露在所述氮化鎵器件頂部的基島與所述氮化鎵器件頂部齊平。

可選地，外露在所述氮化鎵器件頂部的基島具有與其它散熱裝置連接的缺口結構，所述其它散熱裝置為與氮化鎵器件獨立的散熱裝置。

可選地，所述基島的長寬大于所述氮化鎵裸芯片的長寬。

可選地，所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島直接接觸，包括：

所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島采用焊接方式連接；

或者，所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島采用膠水粘接方式連接。

可選地，將所述氮化鎵裸芯片、引腳和所述基島封裝成SMD形式的氮化鎵器件。

本實用新型具有的有益效果：

1)本實用新型將氮化鎵的die正裝在基島上，電極采用打線的方式跟引腳相連，對于氮化鎵die封裝成SMD器件來說，加工方式簡單，從die到基島的熱阻也最小，利于將die的熱量傳導到基島上。由此，解決了現有氮化鎵芯片在封裝成貼片的器件時，封裝材料的熱阻高，散熱效果差，不利于發揮氮化鎵功率管的電流通過能力問題。