[實用新型]一種氮化鎵器件有效
| 申請號： | 201821877443.9 | 申請日： | 2018-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN208873713U | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發明（設計）人： | 李孟;李幸輝;羅廣豪 | 申請（專利權）人： | 鎵能半導體（佛山）有限公司;佛山華玉股權投資合伙企業（有限合伙） |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京易捷勝知識產權代理事務所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 齊勝杰 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區桂城街道寶石*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化鎵 裸芯片 氮化鎵器件 基島 引腳 本實用新型 貼片 封裝 電流通過 頂部安裝 封裝材料 功率器件 能力問題 散熱效果 引線框架 功率管 散熱片 電極 散熱 外露 熱阻 背面 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鎵器件，包括氮化鎵裸芯片，引線框架的引腳，其特征在于，還包括：用于對所述氮化鎵裸芯片進行散熱的基島；
所述氮化鎵裸芯片正面的電極采用引線與所述引腳連接，
所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島直接接觸；
所述氮化鎵裸芯片、所述引腳和所述基島封裝成一個氮化鎵器件，且部分基島外露在所述氮化鎵器件的頂部。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵器件，其特征在于，
外露在所述氮化鎵器件頂部的基島與所述氮化鎵器件頂部齊平。
3.根據權利要求1所述的氮化鎵器件，其特征在于，
外露在所述氮化鎵器件頂部的基島具有與其它散熱裝置連接的缺口結構，所述其它散熱裝置為與氮化鎵器件獨立的散熱裝置。
4.根據權利要求1或2所述的氮化鎵器件，其特征在于，所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島直接接觸，包括：
所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島采用焊接方式連接；
或者，所述氮化鎵裸芯片背面與所述基島采用膠水粘接方式連接。
5.根據權利要求1至3任一所述的氮化鎵器件，其特征在于，
將所述氮化鎵裸芯片、引腳和所述基島封裝成SMD形式的氮化鎵器件。
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