[實用新型]一種輔助測試硅片電阻率的模具

有效

• 申請號: 201821875449.2
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN209513913U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 馬飛
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: G01R27/08
• 分類號: G01R27/08;G01R1/04
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

一種輔助測試硅片電阻率的模具，包括模具本體。模具本體為圓柱形片狀物，模具本體上設有測試孔，測試孔包括中心點測試孔和邊緣點測試孔。中心點測試孔為圓柱孔，中心點測試孔置于模具本體中心部位。邊緣點測試孔為長條狀，邊緣點測試孔包括四條，邊緣點測試孔以中心點測試孔為中心放射狀分布，四條邊緣點測試孔呈“十”字形分布。本實用新型的有益效果是：結構簡單、操作方便，在對硅片進行電阻率檢測的時候，將本模具置于硅片上表面，硅片通過本模具透出五個孔，可使得硅片檢測更加規范，中心點測試孔和四個邊緣點測試孔相互配合，符合國際標準的五點測試法，提高了測試點準確性；測試更加便捷，測試效率高，生產成本低。

技術領域

本實用新型屬于機械結構技術領域，尤其是涉及一種輔助測試硅片電阻率的模具。

背景技術

隨著環保呼聲日益高漲、天然氣石油等能源日益枯竭，新能源和再生能源成為二十一世紀世界關注的重大課題。光伏發電作為清潔能源，日益受到世界各國的重視及扶持。

光伏發電所需的太陽能電池板的基礎材料為單晶硅，一般通過直拉單晶的方式生產晶棒，晶棒經切割后，形成硅片。電阻率是硅片的一個重要參數，其大小直接反映了硅片的導電性能。硅片按晶體結構，可分為單晶硅和多晶硅，不同結構的硅片其電阻率相差極大。其中單晶硅純硅的電阻率為2.5*105Ω·cm，而每一百萬個硅原子中有一個被其他原子替代，則電阻率降低0.2Ω·cm。在生產硅片的過程中，可以通過控制雜質原子的濃度來改變純硅的導電性。

對于硅片這類半導體電阻率的測試，目前最常用的是直線四探針法。直線四探針法的工作原理將四根探針等距呈直線式排列放置在硅片某一區域上，在兩側的探針上注入電流I，然后用高精度的電壓表測量中間兩個探針間的電壓V，利用歐姆定律可得該區域內平均電阻率。直線四探針法的優點在于原理簡單，計算方便，便于應用。

直線四探針法必須用四根探針接觸硅片表面，現有的四根探針選擇測量點時，一般依靠目測確定測試點，測量區域較大，測試選點隨意性大，不規范，難以檢查硅片電阻率是否均勻，測試人為誤差大。且在硅片測試過程中，硅片大面積暴露在空氣中，會使硅片受到污損，導致硅片精度降低。

實用新型內容

本實用新型要解決的問題是提供一種模具；尤其是結構簡單，操作方便，生產成本低，適合多種規格的硅片，應用范圍廣且可提高測試精度的一種輔助測試硅片電阻率的模具。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：一種輔助測試硅片電阻率的模具，包括模具本體，所述模具本體為圓柱形片狀物，所述模具本體上設有測試孔，所述測試孔包括中心點測試孔和邊緣點測試孔，所述中心點測試孔為圓柱孔，所述中心點測試孔置于所述模具本體中心部位，所述邊緣點測試孔為長條狀，所述邊緣點測試孔包括四條，所述邊緣點測試孔以所述中心點測試孔為中心放射狀分布，四條所述邊緣點測試孔呈“十”字形分布，所述邊緣點測試孔內設有限位裝置。

進一步的，所述限位裝置包括限位擋片和限位彈簧，所述限位擋片置于所述邊緣點測試孔內，所述限位彈簧一端連接所述限位擋片，所述限位彈簧另一端連接所述模具本體邊緣處。

進一步的，所述限位擋片背對所述中心點測試孔的一端連接所述限位彈簧，所述限位擋片正對所述中心點測試孔的一端設有防滑裝置。

進一步的，所述模具本體上設有刻度線，所述刻度線以所述中心點測試孔為中心呈環狀分布，所述刻度線為多條，所述刻度線之間設有間距L。

進一步的，所述間距L的尺寸為1mm。

進一步的，所述刻度線處設有標識物。

進一步的，所述邊緣點測試孔距離所述模具本體的邊緣處設有間距H。

進一步的，所述間距H的尺寸為1mm。

進一步的，所述邊緣點測試孔距離所述中心點測試孔設有間距D。