[實用新型]一種針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構有效
| 申請號： | 201821873513.3 | 申請日： | 2018-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN209546012U | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 姜杰;吳均 | 申請（專利權）人： | 深圳市一博電路有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/18 | 分類號： | H05K1/18;H05K1/02 |
| 代理公司： | 深圳市遠航專利商標事務所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 張朝陽;袁浩華 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 特征阻抗 菊花鏈 拓撲 本實用新型 優化結構 多負載 互連 走線 主干 容性負載效應 信號完整性 阻抗連續性 減輕信號 信號路徑 走線連接 輸出 減小 反射 主干道 驅動 | ||
1.一種針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，在驅動端的輸出主干道上設有若干個負載，相鄰兩個所述負載之間通過中間走線連接，其特征在于，所述輸出主干道的特征阻抗小于所述中間走線的特征阻抗。
2.根據權利要求1所述的針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，其特征在于，所述輸出主干道的特征阻抗為所述中間走線的特征阻抗的0.7-0.9倍。
3.根據權利要求1所述的針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，其特征在于，所述負載為4個DDR顆粒時，所述輸出主干道的特征阻抗較所述中間走線的特征阻抗小5歐姆。
4.根據權利要求1所述的針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，其特征在于，所述負載為8個DDR顆粒時，所述輸出主干道的特征阻抗較所述中間走線的特征阻抗小10歐姆。
5.根據權利要求1所述的針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，其特征在于，所述輸出主干道線寬大于所述中間走線的線寬。
6.根據權利要求1所述的針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，其特征在于，所述負載所在的分支走線的特征阻抗大于所述中間走線的特征阻抗。
7.根據權利要求6所述的針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，其特征在于，所述分支走線的特征阻抗為所述中間走線的特征阻抗的1.1-1.2倍。
8.根據權利要求6所述的針對多負載DDRX互連菊花鏈拓撲的優化結構，其特征在于，所述輸出主干道線寬大于所述中間走線的線寬，所述分支走線的線寬小于所述中間走線的線寬。
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