[實用新型]一種新型TO-220型半導體封裝結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821855901.9 | 申請日: | 2018-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN209199909U | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 夏乾華 | 申請(專利權)人: | 鑫金微半導體(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367 |
| 代理公司: | 深圳市匯信知識產權代理有限公司 44477 | 代理人: | 張志凱 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 殼體 基島 半導體封裝結構 膠體封裝 本實用新型 通孔 半導體封裝 半導體晶圓 封裝膠體 殼體正面 框架設置 散熱性能 通孔中心 散熱面 塑封料 上端 外露 引腳 背面 體內 | ||
1.一種新型TO-220型半導體封裝結構,包括殼體、基島框架、引腳,所述殼體上設置有通孔,該通孔設置在殼體的上端,所述殼體包括有膠體封裝,其特征在于:所述殼體的膠體封裝至少高于所述通孔中心點,所述膠體封裝與殼體正面的表面在同一平面內,所述基島框架設置在殼體內,該基島框架的背面有散熱面外露。
2.根據權利要求1所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述基島框架上設置有至少一個內框架,在該內框架上設置有電子元件,在該金屬基島框架上還設有半導體晶圓,所述基島框架上的內框架和半導體晶圓設置在金屬基島框架的同一平面上。
3.根據權利要求1所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述膠體封裝整個殼體正面。
4.根據權利要求1所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述基島框架一部分延伸出所述殼體。
5.根據權利要求1所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述引腳尺寸為TO-220型半導體封裝的引腳尺寸。
6.根據權利要求4所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述引腳之間的間隙典型值為2.54mm。
7.根據權利要求1所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述基島框架為金屬框架。
8.根據權利要求2所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述內框架為2個或3個或5個。
9.根據權利要求2所述的一種新型TO-220型半導體封裝結構,其特征在于:所述內框架和半導體晶圓之間有連接線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鑫金微半導體(深圳)有限公司,未經鑫金微半導體(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821855901.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種倒裝芯片封裝結構
- 下一篇:一種MOS管的固定及散熱裝置





