[實用新型]旋轉濕法刻蝕設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821854576.4 | 申請日: | 2018-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN208903981U | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊抗 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳動輥 晶圓 刻蝕 刻蝕槽 刻蝕液 濕法刻蝕設備 轉動 晶舟 本實用新型 旋轉裝置 分布均勻性 刻蝕均勻性 中心軸轉動 產品良率 輥面接觸 晶圓表面 濕法刻蝕 圓面 對流 垂直 容納 側面 引入 | ||
本實用新型提供了一種旋轉濕法刻蝕設備,所述旋轉濕法刻蝕設備包括:刻蝕槽,用于容納刻蝕液及裝有待刻蝕晶圓的晶舟;旋轉裝置,用于帶動待刻蝕晶圓在晶舟內轉動;旋轉裝置包括傳動輥,傳動輥繞其中心軸轉動,傳動輥垂直于待刻蝕晶圓表面,傳動輥的輥面接觸待刻蝕晶圓側面并帶動待刻蝕晶圓隨傳動輥轉動。本實用新型通過引入傳動輥在濕法刻蝕過程中帶動晶舟中的晶圓轉動,避免了因刻蝕槽中各處刻蝕液的濃度或溫度不同而導致的晶圓面內刻蝕均勻性不佳的問題,從而提高了產品良率。此外,通過傳動輥和晶圓的轉動還進一步增加了刻蝕槽中刻蝕液的對流速度,改善了刻蝕槽中刻蝕液的分布均勻性。
技術領域
本實用新型涉及半導體集成電路制造領域,特別是涉及一種旋轉濕法刻蝕設備。
背景技術
目前,在半導體集成電路制造的槽式濕法刻蝕過程中,一般會將裝有多枚晶圓的晶舟浸沒在刻蝕槽中,通過刻蝕槽中的刻蝕液對晶圓進行刻蝕。然而,刻蝕槽中的刻蝕液常常存在分布不均的現(xiàn)象,例如,在刻蝕槽上下層不同區(qū)域的刻蝕液濃度或溫度會存在差異。上述差異會導致垂直放置于刻蝕槽的晶圓在刻蝕槽上下層所對應的不同位置之間的刻蝕速率和刻蝕選擇比不同,這會使晶圓面內的刻蝕均勻性出現(xiàn)異常,進而影響產品良率。
因此,有必要提出一種新的旋轉濕法刻蝕設備,解決上述問題。
實用新型內容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供一種旋轉濕法刻蝕設備,用于解決現(xiàn)有技術中濕法刻蝕的晶圓面內均勻性不佳的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其它相關目的,本實用新型提供了一種旋轉濕法刻蝕設備,其特征在于,包括:
用于容納刻蝕液及裝有待刻蝕晶圓的晶舟的刻蝕槽;
用于帶動所述待刻蝕晶圓在所述晶舟內轉動的旋轉裝置;
所述旋轉裝置包括傳動輥,所述傳動輥繞其中心軸轉動,所述傳動輥垂直于所述待刻蝕晶圓表面,所述傳動輥的輥面接觸所述待刻蝕晶圓側面并帶動所述待刻蝕晶圓隨所述傳動輥轉動。
作為本實用新型的一種可選方案,所述旋轉裝置還包括:驅動模塊和連接所述驅動模塊和所述傳動輥的傳動模塊,所述驅動模塊通過所述傳動模塊帶動所述傳動輥旋轉。
作為本實用新型的一種可選方案,所述驅動模塊包括伺服電機。
作為本實用新型的一種可選方案,所述傳動模塊包括聯(lián)軸器,所述聯(lián)軸器連接所述驅動模塊和所述傳動輥,所述驅動模塊通過所述聯(lián)軸器帶動所述傳動輥旋轉。
作為本實用新型的一種可選方案,所述傳動輥的兩端可動安裝于所述刻蝕槽兩側相對的側壁上,所述傳動輥的至少一端穿過所述刻蝕槽的側壁并連接所述傳動模塊。
作為本實用新型的一種可選方案,在所述刻蝕槽側壁上的所述傳動輥的安裝位置處設有密封軸承,所述密封軸承可動連接所述傳動輥并支撐所述傳動輥轉動。
作為本實用新型的一種可選方案,所述密封軸承和所述傳動輥的表面包覆有耐腐蝕材料層。
作為本實用新型的一種可選方案,所述傳動輥的輥面包含粗糙面。
作為本實用新型的一種可選方案,所述旋轉濕法刻蝕設備還包括裝卸載裝置,所述裝卸載裝置設置于所述刻蝕槽的上方,所述裝卸載裝置包括用于抓取所述晶舟并使所述晶舟在所述刻蝕槽中裝載或卸載的機械手臂。
作為本實用新型的一種可選方案,所述旋轉濕法刻蝕設備還包括控制模塊,所述控制模塊包括:
用于控制所述旋轉裝置的開關和旋轉速度的旋轉控制單元,連接所述旋轉裝置;
用于控制所述裝卸載裝置對所述晶舟進行裝載和卸載的裝卸載控制單元,連接所述裝卸載裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





