[實用新型]利用CVD方法生長石墨烯薄膜的載具

有效

• 申請號: 201821846250.7
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN209242684U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 劉忠范;彭海琳;孫祿釗;張金燦;賈開誠;劉曉婷;李楊立志;林志威;余屹
• 申請（專利權）人: 北京石墨烯研究院;北京大學
• 主分類號: C01B32/186
• 分類號: C01B32/186
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本實用新型提供了一種利用CVD方法生長石墨烯薄膜的載具，用于放置在CVD設備的石英管內。載具包括底座、矩形底板以及多個矩形托板。矩形底板水平地設置在底座上方，且固定連接于底座；多個矩形托板用于承載石墨烯生長襯底，每一矩形托板上表面的四周設置有多個支撐體，石墨烯生長襯底容納于多個支撐體圍成的空間，多個矩形托板可層疊地放置在矩形底板上，相鄰兩個矩形托板之間用支撐體隔開。

技術領域

本實用新型總體來說涉及石墨烯制備領域，具體而言，涉及一種利用CVD方法生長石墨烯薄膜的載具。

背景技術

石墨烯是一種碳原子構成的單原子層的二維原子晶體材料，具有優異的電子學和光電子學性質，因此引起了學界和產業界的廣泛重視。從材料制備角度考慮，化學氣相沉積法(hemical Vapor Deposition簡稱CVD)是制備高質量石墨烯薄膜的首選方法。具體方法為，將生長襯底置于高溫腔室中，并通入碳源和還原性氣體，碳源分子裂解成碳碎片用于石墨烯的形核、生長并拼接成膜。

在批量化制備石墨烯薄膜的過程中，載具的設計嚴重影響著所制備的石墨烯產量與質量。雖然現有技術中已有一些關于石墨烯生長的載具，但是其在實際應用中仍存在著諸如生長襯底黏連、空間利用率低等問題。

在所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本實用新型的背景的理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

實用新型內容

本實用新型的一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種利用CVD方法生長石墨烯薄膜的載具，解決現有技術中存在的生長襯底黏連、空間利用率低等問題。

為實現上述發明目的，本實用新型采用如下技術方案：

根據本實用新型的一個方面，提供了一種利用CVD方法生長石墨烯薄膜的載具，用于放置在CVD設備的石英管內，其包括底座、矩形底板以及多個矩形托板。矩形底板水平地設置在所述底座上方，且固定連接于所述底座；多個矩形托板用于承載石墨烯生長襯底，每一所述矩形托板上表面的四周設置有多個支撐體，所述石墨烯生長襯底容納于多個所述支撐體圍成的空間，多個所述矩形托板可層疊地放置在所述矩形底板上，相鄰兩個所述矩形托板之間用所述支撐體隔開。

根據本實用新型的一實施方式，所述載具還包括垂直設置的四根限位柱，四根所述限位柱分別連接于所述矩形底板的四個角；每一所述矩形托板的四個角開設有四個缺口，當多個所述矩形托板放置在所述矩形底板上時，四根所述限位柱容納于四個所述缺口。

根據本實用新型的一實施方式，四根所述限位柱的截面呈圓形或矩形。

根據本實用新型的一實施方式，四根所述限位柱可拆卸地連接于所述矩形底板。

根據本實用新型的一實施方式，每一所述矩形托板上相對兩個邊上的所述支撐體對稱設置，且每個邊上的多個所述支撐體等間距設置。

根據本實用新型的一實施方式，所述底座下端部的弧度與所述石英管的內表面的弧度相匹配。

根據本實用新型的一實施方式，所述底座、所述矩形底板以及所述矩形托板為鏤空結構。

根據本實用新型的一實施方式，所述鏤空結構為通孔或盲孔。

根據本實用新型的一實施方式，所述支撐體的高度為1mm-10mm。

根據本實用新型的一實施方式，所述支撐體的高度為2mm-5mm。。

由上述技術方案可知，本實用新型的利用CVD方法生長石墨烯的載具的優點和積極效果在于：