[實(shí)用新型]多晶硅還原爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821832417.4
• 申請(qǐng)日: 2018-11-06
• 公開（公告）號(hào): CN209081438U
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭建濤;茅陸榮;許晟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海森松新能源設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/027
• 分類號(hào): C01B33/027
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實(shí)用新型公開了一種多晶硅還原爐，包括底部具有進(jìn)氣口的還原爐本體，還包括導(dǎo)氣件，導(dǎo)氣件設(shè)置在還原爐本體內(nèi)部，導(dǎo)氣件包括中心進(jìn)氣管和出氣管，中心進(jìn)氣管穿過還原爐本體連接進(jìn)氣管道，出氣管與中心進(jìn)氣管連通，且出氣管距離還原爐本體的上封頭的距離小于或等于出氣管距離還原爐本體底部的距離。上述的多晶硅還原爐實(shí)現(xiàn)了還原爐上部和下部同時(shí)進(jìn)氣，能夠保證還原爐內(nèi)部氣體分布均勻，有助于提高多晶硅還原爐的生產(chǎn)質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅還原爐。

背景技術(shù)

近年來，隨著多晶硅產(chǎn)量需求的不斷提高，多晶硅生產(chǎn)工藝不斷更新，配套技術(shù)、設(shè)備不斷完善，多晶硅還原爐朝著大型化發(fā)展。而隨著大型多晶硅還原爐的發(fā)展，多晶硅還原爐內(nèi)部溫場(chǎng)、流場(chǎng)的均勻問題更加凸顯出來。傳統(tǒng)多晶硅還原爐采用底盤進(jìn)氣方案，氣體從多晶硅還原爐底部進(jìn)入還原爐內(nèi)部。然而，隨著多晶硅還原爐體積不斷增大，由還原爐底部進(jìn)入還原爐內(nèi)部的氣體進(jìn)入還原爐后主要集中在還原爐中下部，還原爐上部氣體分布不均，且循環(huán)流動(dòng)效果差，存在氣體分布盲區(qū)，無法滿足整個(gè)還原爐內(nèi)部均勻進(jìn)氣的需求，嚴(yán)重影響多晶硅還原爐的生產(chǎn)質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提出一種多晶硅還原爐，能夠?qū)崿F(xiàn)多晶硅還原爐均勻進(jìn)氣，提高多晶硅還原爐的生產(chǎn)質(zhì)量。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種多晶硅還原爐，包括底部具有進(jìn)氣口的還原爐本體，還包括導(dǎo)氣件，導(dǎo)氣件設(shè)置在還原爐本體內(nèi)部，導(dǎo)氣件包括中心進(jìn)氣管和出氣管，中心進(jìn)氣管穿過還原爐本體連接進(jìn)氣管道，出氣管與中心進(jìn)氣管連通，且出氣管距離還原爐本體的上封頭的距離小于或等于出氣管距離還原爐本體底部的距離。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，出氣管為圓環(huán)管或多邊形環(huán)管，中心進(jìn)氣管上設(shè)置有連接管，出氣管與連接管連接，連接管分別與中心進(jìn)氣管和出氣管連通。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，出氣管的上表面、下表面和側(cè)面中的至少一個(gè)表面上開設(shè)有多個(gè)通氣孔，位于同一表面上的多個(gè)通氣孔沿周向等間距設(shè)置。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，中心進(jìn)氣管和/或連接管上開設(shè)有通氣孔。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)氣件還包括支撐管，支撐管一端與出氣管連接，另一端與還原爐本體連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，支撐管上開設(shè)有通氣孔。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，出氣管為直管，導(dǎo)氣件包括多個(gè)出氣管，多個(gè)出氣管均與中心進(jìn)氣管連接，且多個(gè)出氣管沿周向等間距設(shè)置。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，中心進(jìn)氣管沿豎直方向設(shè)置，其中心線與還原爐本體的中心線重合，且中心進(jìn)氣管穿過上封頭與進(jìn)氣管道連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，中心進(jìn)氣管沿豎直方向設(shè)置，其中心線與還原爐本體的中心線重合，且中心進(jìn)氣管穿過還原爐本體的底部與進(jìn)氣管道連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)氣件還包括氣閥，氣閥設(shè)置在中心進(jìn)氣管與進(jìn)氣管道之間。

上述的多晶硅還原爐在還原爐本體內(nèi)部設(shè)置導(dǎo)氣件，且導(dǎo)氣件的出氣管距離還原爐本體的上封頭的距離小于或等于出氣管距離還原爐本體底部的距離，即出氣管設(shè)置在還原爐本體的中上部，出氣管在還原爐本體中上部向還原爐本體內(nèi)輸入氣體，與還原爐底部的進(jìn)氣口同時(shí)向還原爐本體內(nèi)輸送氣體，實(shí)現(xiàn)還原爐上部和下部同時(shí)進(jìn)氣，從而確保還原爐內(nèi)部氣體分布均勻，提高多晶硅還原爐的生產(chǎn)質(zhì)量。

附圖說明

圖1是一個(gè)實(shí)施例中多晶硅還原爐的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是一個(gè)實(shí)施例中多晶硅還原爐的內(nèi)部氣體分布示意圖；

圖3是一個(gè)實(shí)施例中導(dǎo)氣件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是另一個(gè)實(shí)施例中多晶硅還原爐的結(jié)構(gòu)示意圖。