[實用新型]多晶硅還原爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821832417.4 | 申請日： | 2018-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN209081438U | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彭建濤;茅陸榮;許晟 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海森松新能源設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/027 | 分類號： | C01B33/027 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 201323 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 還原爐 多晶硅還原爐 出氣管 中心進氣管 導(dǎo)氣件 進氣口 本實用新型 進氣管道 內(nèi)部氣體 上封頭 進氣 連通 穿過 保證 生產(chǎn) | ||
1.一種多晶硅還原爐，包括底部具有進氣口的還原爐本體，其特征在于，還包括導(dǎo)氣件，所述導(dǎo)氣件設(shè)置在所述還原爐本體內(nèi)部，所述導(dǎo)氣件包括中心進氣管和出氣管，所述中心進氣管穿過所述還原爐本體連接進氣管道，所述出氣管與所述中心進氣管連通，且所述出氣管距離所述還原爐本體的上封頭的距離小于或等于所述出氣管距離所述還原爐本體底部的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述出氣管為圓環(huán)管或多邊形環(huán)管，所述中心進氣管上設(shè)置有連接管，所述出氣管與所述連接管連接，所述連接管分別與所述中心進氣管和所述出氣管連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述出氣管的上表面、下表面和側(cè)面中的至少一個表面上開設(shè)有多個通氣孔，位于同一表面上的多個所述通氣孔沿周向等間距設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述中心進氣管和/或所述連接管上開設(shè)有通氣孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述導(dǎo)氣件還包括支撐管，所述支撐管一端與所述出氣管連接，另一端與所述還原爐本體連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述支撐管上開設(shè)有通氣孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述出氣管為直管，所述導(dǎo)氣件包括多個所述出氣管，多個所述出氣管均與所述中心進氣管連接，且多個所述出氣管沿周向等間距設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述中心進氣管沿豎直方向設(shè)置，其中心線與所述還原爐本體的中心線重合，且所述中心進氣管穿過所述上封頭與所述進氣管道連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述中心進氣管沿豎直方向設(shè)置，其中心線與所述還原爐本體的中心線重合，且所述中心進氣管穿過所述還原爐本體的底部與所述進氣管道連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述導(dǎo)氣件還包括氣閥，所述氣閥設(shè)置在所述中心進氣管與所述進氣管道之間。
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