[實(shí)用新型]一種LED器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821828327.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN209150143U
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉慧娟;朱明軍;李軍政;李友民;陸紫珊;張繼奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市國(guó)星光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52
• 代理公司: 佛山市廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44339
• 代理人: 李俊

本實(shí)用新型提供了一種LED器件，所述LED器件包括支架、LED發(fā)光芯片、鍵合線和封裝膠；所述鍵合線兩端分別焊接在所述LED發(fā)光芯片頂面和所述支架頂面上，所述鍵合線的最高點(diǎn)相對(duì)于所述LED發(fā)光芯片底部的高度為弧高h(yuǎn)；所述支架開有凹槽，所述凹槽深度最大值為所述鍵合線的弧高h(yuǎn)；所述LED發(fā)光芯片設(shè)置在所述凹槽中，所述封裝膠包覆所述芯片和所述鍵合線。本實(shí)用新型提供的LED器件具有生產(chǎn)不良率低、封裝膠使用量少、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及到LED器件領(lǐng)域，具體涉及到一種LED器件。

背景技術(shù)

圖1示出了現(xiàn)有LED器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，現(xiàn)有LED器件包括支架1、LED發(fā)光芯片2、鍵合線3和封裝膠4。LED器件芯片在加工時(shí)，首先LED發(fā)光芯片2固定在支架1頂面上，然后將鍵合線3兩端分別焊接在LED發(fā)光芯片2和支架1的固定位置上，最后用封裝膠4覆蓋LED發(fā)光芯片2和鍵合線3。從附圖圖1中可以看出，LED發(fā)光芯片2從支架1頂面突出，鍵合線3突出支架頂面的部分高度較大，在點(diǎn)膠形成封裝膠4時(shí)容易發(fā)生沖線問題。

圖2示出了現(xiàn)有LED器件鍵合線的焊線結(jié)構(gòu)局部放大示意圖，圖3示出了現(xiàn)有LED器件鍵合線的焊線結(jié)構(gòu)局部放大實(shí)物示意圖。具體實(shí)施中，鍵合線3和支架1的焊接連接是通過瓷咀5實(shí)現(xiàn)的，圖2中所示的局部放大示意圖中，瓷咀5所處位置為焊接時(shí)的作業(yè)位置，具體的目標(biāo)焊接位置為E，在目標(biāo)焊接位置E上，瓷咀5和支架1之間的相互距離是固定的；由于鍵合線3是從最高點(diǎn)位置起，高度一直降低，直至末端被焊接至支架1上的，因此，瓷咀5在對(duì)目標(biāo)焊接位置E進(jìn)行焊接時(shí)，瓷咀5的外側(cè)邊緣會(huì)對(duì)鍵合線3產(chǎn)生切線，使鍵合線3線徑減少，該情況下，鍵合線3的線徑最小位置產(chǎn)生在第二焊接位置D上，鍵合線3在第二焊接位置D上最容易發(fā)生斷裂。在實(shí)際生產(chǎn)中，LED器件的不良很大一部分是由于鍵合線3在第二焊接位置D處發(fā)生斷裂產(chǎn)生的。

因此，如何降低鍵合線3凸出支架頂面部分的高度、提高鍵合線3在第二焊接位置D的強(qiáng)度，是LED器件生產(chǎn)中亟需解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有LED器件具有的缺陷，本實(shí)用新型提供了一種LED器件，該LED器件具有生產(chǎn)不良率低、封裝膠使用量少、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。

相應(yīng)的，本實(shí)用新型提供了一種LED器件，所述LED器件包括支架、LED發(fā)光芯片、鍵合線和封裝膠；

所述鍵合線兩端分別焊接在所述LED發(fā)光芯片頂面和所述支架頂面上，所述鍵合線的最高點(diǎn)相對(duì)于所述LED發(fā)光芯片底部的高度為弧高h(yuǎn)；

所述支架開有凹槽，所述凹槽深度最大值為所述鍵合線的弧高h(yuǎn)；所述LED發(fā)光芯片設(shè)置在所述凹槽中，所述封裝膠包覆所述芯片和所述鍵合線。

可選的實(shí)施方式，所述LED發(fā)光芯片高度為H，其中，1.5H<h<2H，h為所述鍵合線的弧高。

可選的實(shí)施方式，所述封裝膠頂面至所述鍵合線最高點(diǎn)的距離最小值為30微米。

可選的實(shí)施方式，所述LED發(fā)光芯片外周距所述凹槽內(nèi)側(cè)壁之間的最小距離為50微米。

可選的實(shí)施方式，所述鍵合線在所述LED發(fā)光芯片頂面上的焊接位置為位置A，所述位置A距離所述LED發(fā)光芯片外周水平距離至少為20微米。

可選的實(shí)施方式，所述鍵合線在所述支架頂面上的焊接位置為位置E，所述位置E距離所述凹槽內(nèi)壁的水平距離至少為80微米。

可選的實(shí)施方式，所述LED器件包括兩根以上的鍵合線。

可選的實(shí)施方式，所述兩根以上的鍵合線的弧高相同。

可選的實(shí)施方式，在所述LED發(fā)光芯片頂面上，所述兩根以上的鍵合線中的任意兩根鍵合線相互之間焊接位置的最小距離為40微米。