[實用新型]半導體封裝結構、發光裝置及具有該裝置的設備

有效

• 申請號: 201821819328.6
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN209045611U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 周大為;林坤立;李威霆;呂佳駿;潘科豪;梁家豪;許豐庭;施位勳
• 申請（專利權）人: 億光電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;章侃銥

本公開提出一種半導體封裝結構，其包括基板、第一極性金屬層、第二極性金屬層、芯片以及封裝層。基板具有第一表面和第一側面。第一極性金屬層設于基板內且具有第二表面和第二側面，第二表面露出于第一表面，第二側面露出于第一側面而形成陽極金屬電極。第二極性金屬層與第一極性金屬層相間隔地設于基板內且具有第三表面和第三側面，第三表面露出于第一表面，第三側面露出于第一側面而形成陰極金屬電極。芯片設于第一極性金屬層的第二表面上。封裝層設于基板的第一表面上。其中，半導體封裝結構被配置為通過陽極金屬電極和陰極金屬電極電連接于電路板，而使芯片相對電路板呈側立式布置。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體封裝結構、發光裝置及具有該裝置的設備。

背景技術

現有的背光LED側發光(side view)封裝體，通常具有PLCC(Plastic Leaded ChipCarrier，特殊引腳芯片封裝)、PTC(Positive Temperature Coefficient)或EMC(Epoxymolding compound，環氧模塑料封裝)等封裝形式的塑料碗杯，其經SMD(Surface MountedDevices，表面貼裝器件)焊接后，可實現側向發光功能。然而，上述現有封裝體無法耐受高功率的UVA(長波黑斑效應紫外線，波長為320nm～420nm)或UVC(短波滅菌紫外線，波長為200nm～275nm)的攻擊。

再者，本領域中存在將金屬基板應用于高功率應用環境中的設計，其能夠實現經過UV(紫外線)攻擊而不產生變質的功效。然而，由于現有封裝體的焊接腳位于結構的底部，因此無法實現側向發光功能。

發明內容

本公開的一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種能夠耐受UV攻擊而不產生變質且能夠實現側向發光功能的半導體封裝結構。

本公開的另一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種發光裝置。

本公開的又一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種具有發光裝置的設備。

為實現上述目的，本公開采用如下技術方案：

根據本公開的一個方面，提供一種半導體封裝結構。其中，所述半導體封裝結構包括基板、第一極性金屬層、第二極性金屬層、芯片以及封裝層。所述基板具有第一表面和第一側面。所述第一極性金屬層設于所述基板內且具有第二表面和第二側面，所述第二表面露出于所述第一表面，所述第二側面露出于所述第一側面而形成陽極金屬電極。所述第二極性金屬層與所述第一極性金屬層相間隔地設于所述基板內且具有第三表面和第三側面，所述第三表面露出于所述第一表面，所述第三側面露出于所述第一側面而形成陰極金屬電極。所述芯片設于所述第一極性金屬層的第二表面上。所述封裝層設于所述基板的第一表面上。其中，所述半導體封裝結構被配置為通過所述陽極金屬電極和所述陰極金屬電極電連接于電路板，而使所述芯片相對所述電路板呈側立式布置。

根據本公開的其中一個實施方式，所述第二表面具有第一階差部，所述第一階差部位于所述第一表面的中部，所述第三表面具有第二階差部，所述第一階差部與所述第二階差部相匹配，所述芯片設于所述第一階差部。

根據本公開的其中一個實施方式，所述基板的材質為金屬或者陶瓷。

根據本公開的其中一個實施方式，所述第一極性金屬層為陽極金屬層。

根據本公開的其中一個實施方式，所述第二極性金屬層為陰極金屬層。

根據本公開的其中一個實施方式，所述第一極性金屬層的材質為銅。

根據本公開的其中一個實施方式，所述第二極性金屬層的材質為銅。