[實用新型]加熱器及熱處理系統有效
| 申請號: | 201821819310.6 | 申請日: | 2018-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN209766367U | 公開(公告)日: | 2019-12-10 |
| 發明(設計)人: | 崔宇镕;樸暻完 | 申請(專利權)人: | 圓益IPS股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 11384 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人: | 鄭青松 |
| 地址: | 韓國京畿道平*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱器 本實用新型 熱處理系統 熱處理裝置 對基板 熱處理空間 熱處理 滑動 插入口 腔室 | ||
本實用新型公開一種加熱器及熱處理系統。本實用新型涉及的熱處理系統用于對基板(5)進行熱處理,包括:熱處理裝置(110),包括對基板(5)提供熱處理空間的腔室(105);以及加熱器(200),通過形成于熱處理裝置(110)一側表面的插入口(121)進行滑動插入。
技術領域
本實用新型涉及一種加熱器及熱處理系統。更加詳細而言,涉及一種由于可以從腔室的一側插入加熱器并且在腔室的一表面進行維護,從而提高空間利用率及生產率的加熱器及熱處理系統。
背景技術
退火(annealing)裝置是為了對沉積于諸如硅片或玻璃的基板上的規定薄膜進行結晶化、相變等工藝而負責必要的熱處理步驟的裝置。
圖1是示出現有的間歇式熱處理裝置1的立體圖,圖2a、2b為沿圖1中A-A'線的放大側視剖視圖,圖2a為熱處理裝置1中設置有加熱器20的形狀。圖2b示出桿狀加熱器20。圖3a、3b為現有的熱處理系統,圖3a示出熱處理裝置1內加熱器20、30的配置形狀,圖3b示出用于熱處理系統的制造、維護、維修的必要空間。
參照圖1,現有的間歇式熱處理裝置1包括:本體10,包括腔室15空間;門11,用于開閉本體10的出入口;主加熱器20;以及側加熱器30。腔室15 內部可配置多個基板。多個基板分別以規定間距配置,被基板支架(未圖示) 支撐或安裝在晶舟(未圖示)上并配置在腔室15內部。
主加熱器20一般為桿狀的加熱器,發熱體22插入在石英管21內部,非發熱體25通過設置在兩端的端子,接收外部電源并傳達至發熱體22而產生熱。主加熱器20的兩端可以結合于連接器26,在斷電的同時,將加熱器20 設置固定在本體10的壁面。
輔助加熱器30的構成與主加熱器20相同。但是,考慮到從熱處理裝置1 向外部放出熱量,進一步配置輔助加熱器30,以使腔室15內所有區域均勻地受熱,還配置有輔助加熱器30。輔助加熱器30沿著垂直于主加熱器20形成方向的方向,與本體10的兩側表面平行配置。
參照圖3a,主加熱器20主要對被基板5占有的加熱區域Z2進行加熱,輔助加熱器30對基板5的外側,即,作為沒有被基板5占有的加熱區域Z1、 Z3的腔室15的周圍部分進行加熱。為了防止向外部損失熱量,進一步將輔助加熱器30和主加熱器20垂直配置,使得加熱區域Z1、Z3的加熱溫度高于加熱區域Z2。
但是,現有的間歇式熱處理裝置1因此不必要的體積增大。參照圖3b,至少需要本體10的左右側維護空間M1'、M2',以確保將主加熱器20設置于本體10并且用于維護/管理的維護路徑P1'、P2'。并且,至少需要本體10的前后側空間M3'、M4',以確保將輔助加熱器30設置于本體10并且用于維護/ 管理的維護路徑P3'、P4'。像這樣,必須確保圍繞本體10的所有表面外側維護空間M1'、M2'、M3'、M4',因此,用于維護/管理的整體設備的尺寸將不必要的增加,并且單位面積的生產率降低。
另一方面,現有的間歇式熱處理裝置1根據基板的數量而設置大量加熱器20、30,在每個加熱器20、30的兩端分別結合連接器26的過程中,裝置的制造時間增加。并且,在對加熱器20、30進行修理、更換等時,在拆卸連接器26的過程中,維護/管理時間增加。在熱處理工藝途中,當部分加熱器 20、30發生故障時,這種修理、更換時間的延遲有可能導致大量工藝的失敗。
實用新型內容
技術問題
本實用新型為了解決上述現有技術的各種問題點而提出。起目的在于提供一種加熱器及熱處理系統,將加熱器設置在本體并且大幅縮小用于維護/管理的空間,以增加空間利用率。
另外,本實用新型的目的在于,提供一種加熱器及熱處理系統,通過增加空間利用率來提高單位面積生產率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





