[實用新型]一種采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821819150.5 | 申請日： | 2018-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN209447792U | 公開（公告）日： | 2019-09-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 董珂 | 申請（專利權(quán)）人： | 濟南固锝電子器件有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L29/861;H01L23/29;H01L23/48 |
| 代理公司： | 濟南信達專利事務(wù)所有限公司 37100 | 代理人： | 羅文曌 |
| 地址： | 250101 山東省濟南市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 穩(wěn)壓芯片 穩(wěn)壓二極管 低溫漂 焊片 本實用新型 封裝層 鋁膜 半導(dǎo)體功率器件 電子技術(shù)領(lǐng)域 高溫焊接 封裝 | ||
1.一種采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管，其特征在于：包括穩(wěn)壓芯片一、穩(wěn)壓芯片二和封裝層，穩(wěn)壓芯片一和穩(wěn)壓芯片二上均鍍有鋁膜，穩(wěn)壓芯片一的N區(qū)與穩(wěn)壓芯片二的N區(qū)通過所述鋁膜高溫焊接成一體，穩(wěn)壓芯片一的P區(qū)和穩(wěn)壓芯片二的P區(qū)分別連接有鉬粒層，兩鉬粒層分別通過焊片連接有引線，封裝層設(shè)于穩(wěn)壓芯片一、穩(wěn)壓芯片二、鉬粒層和焊片外，用于封裝穩(wěn)壓芯片一、穩(wěn)壓芯片二、鉬粒層和焊片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管，其特征在于：所述封裝層由玻封層和塑封層構(gòu)成，玻封層用于封裝穩(wěn)壓芯片一和穩(wěn)壓芯片二，塑封層設(shè)于玻封層外，用于封裝穩(wěn)壓芯片一、穩(wěn)壓芯片二、鉬粒層和焊片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管，其特征在于：所述玻封層的厚度為0.5mm-0.6mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管，其特征在于：所述塑封層為圓柱體，塑封層的直徑為2.60mm-5.15mm，厚度為4.9mm-9.1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管，其特征在于：所述鋁膜的厚度為2.5um-2.7um。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管，其特征在于：所述鉬粒層為圓柱體，鉬粒層的直徑為1.15mm-2.42mm，厚度為0.83mm-1.51mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管，其特征在于：所述焊片為圓柱體，焊片的直徑為1.08mm-2.24mm，厚度0.06±0.01mm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于濟南固锝電子器件有限公司，未經(jīng)濟南固锝電子器件有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821819150.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：電子器件和電子設(shè)備
- 下一篇：一種多路顏色的LED柔性燈絲
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件，例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件，例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件
