[實用新型]一種采用GP工藝的低溫漂穩壓二極管

有效

• 申請號: 201821819150.5
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN209447792U
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 董珂
• 申請（專利權）人: 濟南固锝電子器件有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L29/861;H01L23/29;H01L23/48
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司 37100
• 代理人: 羅文曌

本實用新型屬于半導體功率器件電子技術領域，具體地說是一種采用GP工藝的低溫漂穩壓二極管。該實用新型的采用GP工藝的低溫漂穩壓二極管包括穩壓芯片一、穩壓芯片二和封裝層，穩壓芯片一和穩壓芯片二上均鍍有鋁膜，穩壓芯片一的N區與穩壓芯片二的N區通過所述鋁膜高溫焊接成一體，穩壓芯片一的P區和穩壓芯片二的P區分別連接有鉬粒層，兩鉬粒層分別通過焊片連接有引線，封裝層設于穩壓芯片一、穩壓芯片二、鉬粒層和焊片外，用于封裝穩壓芯片一、穩壓芯片二、鉬粒層和焊片。本實用新型的采用GP工藝的低溫漂穩壓二極管結構設計合理，提高可靠性，具有良好的推廣應用價值。

技術領域

本實用新型涉及半導體功率器件電子技術領域，具體提供一種采用GP工藝的低溫漂穩壓二極管。

背景技術

半導體分立器件發展至今，人們對半導體分立器件的要求越來越高，生產一切產品的最終目的即產品的最高價值，在于它的實用性，電子元器件的生產是為電子整機服務的，電子整機對元器件的要求除了電學參數外，重點在于元器件的可靠性，特別是在經受苛刻的外界環境所表現的特性至關重要，其是否能抵制外界不良的影響（如驟冷驟熱或高溫高濕）已成為評判器件好壞重要的指標。穩壓二極管在元器件中占有非常重要的地位，穩壓管應用廣泛，可適用于浪涌保護電路、過壓保護電路、電弧抑制電路、穩壓電路等，有些精密電路要求等級較高，對其穩壓特性提出更高的要求，然而穩壓管的穩壓特性易受環境溫度的影響，其穩壓性能隨溫度產生漂移，直接影響其穩壓功能，不僅如此，其鈍化封裝形式受到人們的關注，半導體分立器件各組分是否具有良好的匹配性、穩定性、致密性等亦對器件的可靠性提出很大的挑戰。因此，提高穩壓二極管的穩壓特性及可靠性顯得尤為重要。

發明內容

為了解決以上存在的問題，本實用新型提供一種結構設計合理，提高可靠性的采用GP工藝的低溫漂穩壓二極管。

為實現上述目的，本實用新型提供了如下技術方案：

一種采用GP工藝的低溫漂穩壓二極管，包括穩壓芯片一、穩壓芯片二和封裝層，穩壓芯片一和穩壓芯片二上均鍍有鋁膜，穩壓芯片一的N區與穩壓芯片二的N區相焊接，穩壓芯片一的P區和穩壓芯片二的P區分別連接有鉬粒層，兩側的鉬粒層分別通過焊片連接有引線，封裝層設于穩壓芯片一、穩壓芯片二、鉬粒層和焊片外，將穩壓芯片一、穩壓芯片二、鉬粒層和焊片相封裝。

GP工藝：半導體二極管芯片工藝制程中，PN結是形成二極管特性的關鍵要素，采用高溫玻璃鈍化（GP）工藝，保護芯片，使芯片具有良好的二極管特性、可封裝特性以及使用可靠性。

所述引線為銅引線。

穩壓二極管在6.3V是溫度系數的分水嶺，高于6.3V時為正溫度系數，而低于6.3V時為負溫度系數，本實用新型中采用穩壓芯片一和穩壓芯片二雙芯片反向相接后高溫燒結于一體，利用PN結在不同溫度條件下表現出的正負溫度系數來實現電壓補償，實現低溫度漂移，將溫度的影響減到最低，達到理想的穩壓效果，并且具有防反接作用。

穩壓芯片一與穩壓芯片二之間通過鋁膜在高溫真空下相焊接，焊片與鉬粒層和引線之間也是通過高溫焊接，有助于提高材料耐焊接能力，高溫操作能力，提高二極管的可靠性（可實現在-65℃-175℃范圍內儲存或工作）。

采用鉬粒層在引線與芯片之間相連接，鉬粒與芯片的膨脹系數相近，可減少內應力給穩壓芯片帶來的損傷，在二極管遇到驟冷或驟熱的環境變化時不至于因內應力直接損傷穩壓芯片而使產品失效，降低苛刻環境下給二極管帶來的不利影響，大大提升穩壓二極管的可靠性。并且穩壓芯片與鉬粒層之間無需加鋁片或焊片，利用穩壓芯片表面的鋁膜高溫焊接在一起。

作為優選，所述封裝層由玻封層和塑封層構成，玻封層將穩壓芯片一和穩壓芯片二相封裝，塑封層設于玻封層外，將穩壓芯片一、穩壓芯片二、鉬粒層和焊片相封裝。