[實用新型]非隔離升降壓電源電路及非隔離升降壓電源模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821810861.6
• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN209267455U
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉巖;李元林;黨建波;羅昌海;胡昆霖;陳書鋒;榮元政;陳黎明;劉佳
• 申請（專利權(quán)）人: 四川航天神坤科技有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158
• 代理公司: 成都市集智匯華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51237
• 代理人: 羅艷

本實用新型涉及電源電路技術(shù)領(lǐng)域，實施例公開一種非隔離升降壓電源電路及非隔離升降壓電源模塊。本申請?zhí)峁┑姆歉綦x升降壓電源電路，將兩片升降壓穩(wěn)壓器并聯(lián)連接，通過SYNCI、SYNCO兩個引腳實現(xiàn)MOSFET同步開關(guān)，通過EN引腳實現(xiàn)同步啟動，通過EAIN引腳共用反饋電阻實現(xiàn)同步輸出電壓，該電源電路能夠提供寬輸入、高功率、穩(wěn)定可靠的電源，且結(jié)構(gòu)簡單適合廣泛推廣。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非隔離升降壓電源電路及非隔離升降壓電源模塊。

背景技術(shù)

非隔離電源是指輸入端和負載端之間沒有變壓器進行電氣隔離，直接將輸入端和負載端共地，與隔離電源相比有如下優(yōu)點：1、效率高：一般的非隔離電源效率能達到92％以上，而隔離電源一般只能達到85％左右。在帶大功率負載情況下，非隔離電源的發(fā)熱量更小。2、體積小：由于非隔離電源不需要變壓器，所以整個產(chǎn)品尺寸可以做的非常小，在對設(shè)計尺寸要求比較高的應(yīng)用場景中，非隔離電源能起到重要的作用。3、成本低：非隔離電源外圍電路簡單、器件種類少，設(shè)計簡單易用，在各類產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。

在一些控制系統(tǒng)場景中，由于控制系統(tǒng)包括大功率的射頻功放、步進電機驅(qū)動和高主頻的ARM處理器，如何設(shè)計一款高效、簡單、穩(wěn)定可靠的電源成為急需解決的問題。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N非隔離升降壓電源電路及非隔離升降壓電源模塊，能夠解決或者至少部分解決上述存在的問題。

為解決以上技術(shù)問題，本實用新型提供的技術(shù)方案是一種非隔離升降壓電源電路，包括第一升降壓穩(wěn)壓器N1和第二升降壓穩(wěn)壓器N2，所述第一升降壓穩(wěn)壓器 N1和所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2并聯(lián)連接，其中，

所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1的SYNCI引腳和所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2的 SYNCI引腳電連接；

所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1的SYNCO引腳和所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2的 SYNCO引腳電連接；

所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1的EN引腳和所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2的EN引腳電連接后連接電阻R5一端，電阻R5另一端連接電壓輸入端；

所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1的EAIN引腳和所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2的EAIN 引腳電連接后連接在電阻R4一端和電阻R8一端的連接電路上，電阻R4另一端連接電壓輸出端，電阻R8另一端接地；

所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1的VS1引腳和VS2引腳之間電連接有電感L1；

所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2的VS1引腳和VS2引腳之間電連接有電感L2。

更優(yōu)地，所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1和所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2均采用PI3749 升降壓穩(wěn)壓器芯片。

更優(yōu)地，所述非隔離升降壓電源電路還包括MCU，所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1 的JMON引腳分別電連接MCU的第一ADC引腳和電容C6一端，電容C6另一端接地，所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2的JMON引腳分別電連接MCU的第二ADC引腳和電容C9一端，電容C9另一端接地。

更優(yōu)地，所述第一升降壓穩(wěn)壓器N1的TRK引腳和所述第二升降壓穩(wěn)壓器N2 的TRK引腳電連接后連接電容C5一端，電容C5另一端接地。

更優(yōu)地，所述非隔離升降壓電源電路還包括與電壓輸出端電連接的軟啟動電路，所述軟啟動電路包括P型MOS管V1和三極管V2，所述電壓輸出端與所述P型 MOS管V1的襯底電連接，所述P型MOS管的襯底與柵極之間并聯(lián)有電阻R2和電容C4，所述P型MOS管的源極分別連接射頻電壓輸出端和電容C3一端，電容 C3另一端接地，所述P型MOS管的柵極通過電阻R8連接到三極管V2的集電極，三極管V2的基集和發(fā)射極之間連接有電阻R7，三極管V2的發(fā)射極接地，三極管 V2的基極通過電阻R6連接到射頻電壓輸出EN信號端。