[實用新型]一種鍍膜設(shè)備沉積腔室和鍍膜設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821809417.2
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN209555354U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田保峽;聞益;曲士座
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本實用新型公開了一種鍍膜設(shè)備沉積腔室，在所述沉積腔室的底板上設(shè)置有金屬蒸發(fā)源和非金屬蒸發(fā)源，其中，沿所述襯底的第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的每排所述非金屬蒸發(fā)源的個數(shù)為M個；并且，位于同一排的相鄰兩個非金屬蒸發(fā)源之間的間距為一定值；M為大于等于8小于等于15的整數(shù)；其中，在沿所述襯底的第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的非金屬蒸發(fā)源的兩側(cè)沿第二預(yù)設(shè)方向各設(shè)置有一排金屬蒸發(fā)源，位于非金屬蒸發(fā)源一側(cè)的一排金屬蒸發(fā)源與位于非金屬蒸發(fā)源另一側(cè)的金屬蒸發(fā)源對稱設(shè)置。本方案，使得通過鍍膜設(shè)備沉積腔室在底板表面形成的CIGS膜厚度均勻，性能良好，從而使得形成的包括CIGS膜的太陽能電池具有較高的發(fā)電效率，有效滿足用電需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及太陽能電池襯底鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種鍍膜設(shè)備沉積腔室和鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)

在基板上附著CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的簡寫，主要組成有Cu(銅)、In(銦)、Ga(鎵)、Se(硒))膜，以形成太陽能電池，方可使太陽能電池具有將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的功能。

現(xiàn)有技術(shù)方案中主要采用磁控濺射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太陽能電池，該方法主要是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場的作用下高速運動進而轟擊作為陰極的靶，使作為陰極的靶中的原子或分子從原有物質(zhì)中逃逸出來進而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的薄膜。采用該磁控濺射方法形成的薄膜與基板有較好的附著性，且形成的薄膜的密度較高。

然而，磁控濺射方法是采用環(huán)狀磁場控制下的輝光放電，其成膜速率差且磁控濺射的設(shè)備需要高壓裝置，導(dǎo)致設(shè)備復(fù)雜昂貴，不利于大規(guī)模生產(chǎn)太陽能電池。除此之外，通過磁控濺射形成的CIGS薄膜厚度不均勻，質(zhì)量較差，由此導(dǎo)致太陽能電池的性能較差，發(fā)電效率較低。

實用新型內(nèi)容

本實用新型實施例提供一種鍍膜設(shè)備沉積腔室和鍍膜設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中缺少一種形成的CIGS膜厚度均勻、具有高發(fā)電效率的鍍膜設(shè)備沉積腔室的技術(shù)問題。

根據(jù)本實用新型提供的一種鍍膜設(shè)備沉積腔室，所述沉積腔室包括底板和設(shè)置在所述底板上的金屬蒸發(fā)源和非金屬蒸發(fā)源，其特征在于，沿所述底板的第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的每排所述非金屬蒸發(fā)源的個數(shù)為M個；并且，位于同一排的相鄰兩個非金屬蒸發(fā)源之間的間距為一定值；M為大于等于8小于等于15的整數(shù)；其中，在沿所述底板的第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的非金屬蒸發(fā)源的兩側(cè)、沿第二預(yù)設(shè)方向設(shè)置有一排金屬蒸發(fā)源，位于非金屬蒸發(fā)源一側(cè)的一排金屬蒸發(fā)源與位于非金屬蒸發(fā)源另一側(cè)的金屬蒸發(fā)源對稱設(shè)置。本實用新型，在底板上沿第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的每排非金屬蒸發(fā)源的數(shù)量為大于等于8小于等于15的整數(shù)，可有效滿足為不同面積的底板進行沉積以形成CIGS膜的需求，同時，每排非金屬蒸發(fā)源中相鄰兩個非金屬蒸發(fā)源之間的間距為一定值，可有效滿足生產(chǎn)出的CIGS膜的厚度均勻的要求。

在一個實施例中，沿所述底板的長度方向，在所述底板上設(shè)置有多排所述非金屬蒸發(fā)源，沿所述底板的寬度方向，所述多排非金屬蒸發(fā)源一一對齊設(shè)置。本實用新型，在底板上設(shè)置的多排非金屬蒸發(fā)源一一對齊設(shè)置，可使得非金屬蒸發(fā)源在底板上的排布較為均勻，從而在滿足沉積形成的CIGS膜較為均勻的基礎(chǔ)上，有效保障非金屬蒸發(fā)源在底板上的排布較為整齊，便于后期維護。

在一個實施例中，在沉積腔室的底板上設(shè)置有多排所述非金屬蒸發(fā)源，相鄰兩排所述非金屬蒸發(fā)源中：在第一預(yù)設(shè)方向上，位于一排的首端、末端的所述非金屬蒸發(fā)源較另一排的首端、末端的所述非金屬蒸發(fā)源均錯位預(yù)設(shè)距離，如此，可使得非金屬蒸發(fā)源在底板上占據(jù)更大的面積，從而可在底板上形成的CIGS膜的面積可以得到有效的保證，從而有效保證了CIGS膜的性能及發(fā)電效率。

在一個實施例中，在所述底板上設(shè)置一排非金屬蒸發(fā)源，所述一排非金屬蒸發(fā)源的中心的連接線與所述底板中心線成35-90度的角度設(shè)置。通過在底板上設(shè)置的非金屬蒸發(fā)源的中心的連線與所述底板中心線成一定的角傾斜度，從而使得非金屬蒸發(fā)源中的非金屬物質(zhì)可以被沉積至底板的預(yù)設(shè)區(qū)域。