[實用新型]一種鍍膜設備沉積腔室和鍍膜設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821809417.2
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN209555354U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設計）人: 田保峽;聞益;曲士座
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種鍍膜設備沉積腔室，所述沉積腔室包括底板和設置在所述底板上的金屬蒸發(fā)源和非金屬蒸發(fā)源，其特征在于，沿所述底板的第一預設方向設置的每排所述非金屬蒸發(fā)源的個數(shù)為M個；并且，位于同一排的相鄰兩個非金屬蒸發(fā)源之間的間距為一定值；M為大于等于8小于等于15的整數(shù)；

其中，在沿所述底板的第一預設方向設置的非金屬蒸發(fā)源的兩側、沿第二預設方向設置有一排金屬蒸發(fā)源，位于非金屬蒸發(fā)源一側的一排金屬蒸發(fā)源與位于非金屬蒸發(fā)源另一側的金屬蒸發(fā)源對稱設置。

2.根據(jù)權利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，沿所述底板的長度方向，在所述底板上設置有多排所述非金屬蒸發(fā)源，沿所述底板的寬度方向，所述多排非金屬蒸發(fā)源一一對齊設置。

3.根據(jù)權利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，在沉積腔室的底板上設置有多排所述非金屬蒸發(fā)源，

相鄰兩排所述非金屬蒸發(fā)源中：在第一預設方向上，位于一排的首端、末端的所述非金屬蒸發(fā)源較另一排的首端、末端的所述非金屬蒸發(fā)源均錯位預設距離。

4.根據(jù)權利要求1所述的鍍膜設備沉積腔室，其特征在于，在所述底板上設置一排非金屬蒸發(fā)源，所述一排非金屬蒸發(fā)源的中心的連接線與參考線成35-90度的夾角設置；其中，所述參考線為所述底板中心線。

5.根據(jù)權利要求4所述的鍍膜設備沉積腔室，其特征在于，所述一排非金屬蒸發(fā)源沿所述底板的一個對角線設置。

6.根據(jù)權利要求1所述的鍍膜設備沉積腔室，其特征在于，在所述沉積腔室的底板上設置有一排非金屬蒸發(fā)源，所述一排非金屬蒸發(fā)源沿所述底板的長度方向設置。

7.根據(jù)權利要求6所述的鍍膜設備沉積腔室，其特征在于，所述一排非金屬蒸發(fā)源設置在所述底板的寬度方向的中間位置。

8.根據(jù)權利要求1所述的鍍膜設備沉積腔室，其特征在于，所述金屬蒸發(fā)源的中心線與垂直于所述沉積腔室的底板的直線的傾斜角度均為20-45度，

和/或

所述非金屬蒸發(fā)源的中心線與垂直于所述沉積腔室的底板的直線的傾斜角度均為0-60度。

9.根據(jù)權利要求1-8任一項所述的鍍膜設備沉積腔室，其特征在于，所述非金屬蒸發(fā)源包括Se蒸發(fā)源；或/和

所述金屬蒸發(fā)源包括Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源和Ga蒸發(fā)源，所述Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源與Ga蒸發(fā)源的總數(shù)量為P對，其中P為大于等于8小于等于15的整數(shù)。

10.一種鍍膜設備，其特征在于，包括如權利要求1～9任一項所述的鍍膜設備沉積腔室。