[實用新型]一種鍍膜設備沉積腔室和鍍膜設備

有效

• 申請號: 201821809320.1
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN209555353U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 田保峽;聞益;曲士座
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06;C03C17/22
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本實用新型公開了一種鍍膜設備沉積腔室，在所述底板上沿第一預設方向設置的每排非金屬蒸發源的個數為M個；并且，位于同一排非金屬蒸發源的首端的P個非金屬蒸發源中的相鄰兩個非金屬蒸發源之間的間距為第一間距，位于同一排非金屬蒸發源的末端的M?P個非金屬蒸發源中的相鄰兩個非金屬蒸發源之間的間距為第二間距；其中，M為大于等于8小于等于15的整數，P為大于等于1小于等于M?1的整數。本方案，使得通過鍍膜設備沉積腔室在玻璃基板表面形成的大小合適、厚度均勻且性能良好的CIGS膜，從而使得形成的包括CIGS膜的太陽能電池具有較高的發電效率，有效滿足用電需求。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池玻璃基板鍍膜設備領域，尤其涉及一種鍍膜設備沉積腔室和鍍膜設備。

背景技術

在基板上附著CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的簡寫，主要組成有Cu(銅)、In(銦)、Ga(鎵)、Se(硒))膜，以形成太陽能電池，方可使太陽能電池具有將太陽能轉化為電能的功能。

現有技術方案中主要采用磁控濺射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太陽能電池的方法，該方法主要是利用氣體放電產生的正離子在電場的作用下高速運動進而轟擊作為陰極的靶，使作為陰極的靶中的原子或分子從原有物質中逃逸出來進而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可將太陽能轉化為電能的薄膜。采用該磁控濺射方法形成的薄膜與基板有較好的附著性，且形成的薄膜的密度較高。

然而，磁控濺射方法是采用環狀磁場控制下的輝光放電，其成膜速率差且磁控濺射的設備需要高壓裝置，導致設備復雜昂貴，不利于大規模生產太陽能電池。除此之外，通過磁控濺射形成的CIGS薄膜厚度不均勻，質量較差，由此導致太陽能電池的性能較差，發電效率較低。

綜上所述，現有技術方案中缺少一種可形成厚度均勻、質量較高的CIGS薄膜的鍍膜設備。

實用新型內容

本實用新型實施例提供一種鍍膜設備沉積腔室和鍍膜設備，以解決現有技術中缺少一種形成的CIGS膜厚度均勻、具有高發電效率的鍍膜設備沉積腔室的技術問題。

根據本實用新型提供的一種鍍膜設備沉積腔室，在在所述沉積腔室的底板上設置有金屬蒸發源和非金屬蒸發源，其特征在于，在所述底板上沿第一預設方向設置的每排非金屬蒸發源的個數為M個；并且，位于同一排非金屬蒸發源的首端的P個非金屬蒸發源中的相鄰兩個非金屬蒸發源之間的間距為第一間距，位于同一排非金屬蒸發源的末端的M-P個非金屬蒸發源中的相鄰兩個非金屬蒸發源之間的間距為第二間距；其中，M為大于等于8小于等于15的整數，P為大于等于1小于等于M-1的整數。本實用新型實施例，可有效滿足在玻璃基板的表面沉積大小合適、厚度均勻且性能良好的CIGS膜的需求，有效保障了太陽能電池的高發電效率及高成成品率。

在一個實施例中，沿所述底板的長度方向，在所述底板上設置有多排非金屬蒸發源，沿所述底板的寬度方向，所述多排非金屬蒸發源中的首端的P個非金屬蒸發源一一對齊設置。本實用新型，可使得非金屬蒸發源在底板上的排布相對較為均勻，從而在滿足沉積形成的CIGS膜較為均勻的基礎上，有效保障非金屬蒸發源在底板上的排布較為整齊，便于后期維護。

在一個實施例中，相鄰兩排非金屬蒸發源中：在寬度方向上，位于一排的首端的第P+1個、第M個非金屬蒸發源較另一排的第P+1個、第M個非金屬蒸發源均錯位預設距離。如此，可使得非金屬蒸發源在底板上占據更大的面積，從而可在玻璃基板上形成的CIGS膜的面積可以得到有效的保證，從而有效保證了CIGS膜的性能及發電效率。

在一個實施例中，在所述底板上設置一排非金屬蒸發源，所述一排非金屬蒸發源的中心的連接線與所述底板中心線成35-90度的角度設置。通過在底板上設置的非金屬蒸發源的中心的連線與所述底板中心線成一定的角傾斜度，從而使得非金屬蒸發源中的非金屬物質可以被沉積至底板的預設區域。

在一個實施例中，所述一排非金屬蒸發源沿所述底板的一個對角線設置。