[實(shí)用新型]一種鍍膜設(shè)備沉積腔室和鍍膜設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821809320.1
• 申請(qǐng)日: 2018-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209555353U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田保峽;聞益;曲士座
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京鉑陽(yáng)頂榮光伏科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/24
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/24;C23C14/06;C03C17/22
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種鍍膜設(shè)備沉積腔室，在所述沉積腔室的底板上設(shè)置有金屬蒸發(fā)源和非金屬蒸發(fā)源，其特征在于，在所述底板上沿第一預(yù)設(shè)方向設(shè)置的每排非金屬蒸發(fā)源的個(gè)數(shù)為M個(gè)；并且，位于同一排非金屬蒸發(fā)源的首端的P個(gè)非金屬蒸發(fā)源中的相鄰兩個(gè)非金屬蒸發(fā)源之間的間距為第一間距，位于同一排非金屬蒸發(fā)源的末端的M-P個(gè)非金屬蒸發(fā)源中的相鄰兩個(gè)非金屬蒸發(fā)源之間的間距為第二間距；其中，M為大于等于8小于等于15的整數(shù)，P為大于等于1小于等于M-1的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，沿所述底板的長(zhǎng)度方向，在所述底板上設(shè)置有多排非金屬蒸發(fā)源，沿所述底板的寬度方向，所述多排非金屬蒸發(fā)源中的首端的P個(gè)非金屬蒸發(fā)源一一對(duì)齊設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積腔室，其特征在于，相鄰兩排非金屬蒸發(fā)源中：

在寬度方向上，位于一排的首端的第P+1個(gè)、第M個(gè)非金屬蒸發(fā)源較另一排的第P+1個(gè)、第M個(gè)非金屬蒸發(fā)源均錯(cuò)位預(yù)設(shè)距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備沉積腔室，其特征在于，在所述底板上設(shè)置一排非金屬蒸發(fā)源，所述一排非金屬蒸發(fā)源的中心的連接線(xiàn)與參考線(xiàn)成35-90度的夾角設(shè)置；其中，所述參考線(xiàn)為所述底板中心線(xiàn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍膜設(shè)備沉積腔室，其特征在于，所述一排非金屬蒸發(fā)源沿所述底板的一個(gè)對(duì)角線(xiàn)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備沉積腔室，其特征在于，在所述沉積腔室的底板上設(shè)置有一排非金屬蒸發(fā)源，所述一排非金屬蒸發(fā)源沿所述底板的長(zhǎng)度方向設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜設(shè)備沉積腔室，其特征在于，所述一排非金屬蒸發(fā)源設(shè)置在所述底板的寬度方向的中間位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備沉積腔室，其特征在于，所述金屬蒸發(fā)源的中心線(xiàn)與垂直于所述沉積腔室的底板的直線(xiàn)的傾斜角度均為20-45度，

和/或

所述非金屬蒸發(fā)源的中心線(xiàn)與垂直于所述沉積腔室的底板的直線(xiàn)的傾斜角度均為0-60度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備沉積腔室，其特征在于，所述非金屬蒸發(fā)源包括Se蒸發(fā)源；或/和

所述金屬蒸發(fā)源包括Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源和Ga蒸發(fā)源，所述Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源與Ga蒸發(fā)源的總數(shù)量為P對(duì)，其中P為大于等于8小于等于15的整數(shù)。

10.一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備沉積腔室。