[實用新型]內襯組件、反應腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201821806205.9
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN209133451U
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 侯玨;蘭玥;佘清;張璐;劉建生
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李坤

本公開提供了一種內襯組件，包括：套設的至少兩層內襯，所述至少兩層內襯接地，每層內襯沿其周向開設有多個縫隙，對于所述至少兩層內襯中的任意相鄰兩層內襯，其中一層內襯的所述多個縫隙在一平面的投影與其中另一層內襯的所述多個縫隙在所述平面的投影不重疊，所述平面為所述相鄰兩層內襯中其中一層內襯軸線所在的平面。

技術領域

本公開屬于半導體加工領域，更具體地涉及一種內襯組件、反應腔室及半導體加工設備。

背景技術

磁控濺射物理氣相沉積設備包括反應腔室。反應腔室的基座承載待加工工件。靶材密封在反應腔室頂端。支撐組件和靶材形成密封腔體，其中充滿去離子水。工藝時，密封腔體中的磁控管掃描靶材，向反應腔室內充入工藝氣體，工藝氣體受激產生等離子體。等離子體轟擊靶材，金屬原子沉積在待加工工件的同時，還會沉積在反應腔室側壁，造成反應腔室被污染，影響反應腔室的壽命和使用成本。

實用新型內容

根據本公開的一個方面，提供了一種內襯組件，包括：套設的至少兩層內襯，所述至少兩層內襯接地，每層內襯沿其周向開設有多個縫隙，對于所述至少兩層內襯中的任意相鄰兩層內襯，其中一層內襯的所述多個縫隙在一平面的投影與其中另一層內襯的所述多個縫隙在所述平面的投影不重疊，所述平面為所述相鄰兩層內襯中其中一層內襯軸線所在的平面。

在本公開的一些實施例中，所述任意相鄰兩層內襯包括：第一內襯以及第二內襯，所述第一內襯的所述多個縫隙為第一縫隙，且所述第二內襯的所述多個縫隙為第二縫隙；任一個所述第一縫隙、與所述任一個所述第一縫隙相鄰的一個所述第二縫隙、以及所述第一內襯與所述第二內襯之間、且位于所述任一個所述第一縫隙與所述相鄰的一個所述第二縫隙之間的間隙構成一個屏蔽單元。

在本公開的一些實施例中，所述屏蔽單元的深寬比為B/A+C/D，所述深寬比大于5，其中，A為所述第一縫隙在所述第一內襯周向的寬度或所述第二縫隙在所述第二內襯周向的寬度；B為所述第一內襯徑向的厚度或所述第二內襯徑向的厚度；C為相鄰兩個第一縫隙在所述第一內襯周向的距離，或者相鄰兩個第二縫隙在所述第二內襯周向的距離；D為所述第一內襯與所述第二內襯在所述第一內襯徑向或所述第二內襯徑向的間距。

在本公開的一些實施例中，相鄰兩個所述第一縫隙在所述第一內襯周向的距離以及相鄰兩個第二縫隙在所述第二內襯周向的距離均不小于2mm。

在本公開的一些實施例中，所述第一內襯徑向的厚度和所述第二內襯徑向的厚度均為5mm。

在本公開的一些實施例中，所述第一內襯與所述第二內襯之間的徑向間距小于10mm。

在本公開的一些實施例中，所述第一縫隙的周向寬度以及所述第二縫隙的周向寬度范圍均為0.5mm至10mm。

在本公開的一些實施例中，所述第一縫隙的數量和所述第二縫隙的數量均為數十量級。

在本公開的一些實施例中，所述第一縫隙的數量和所述第二縫隙的數量均不小于60。

在本公開的一些實施例中，所述第一縫隙的數量與所述第二縫隙的數量相同。

在本公開的一些實施例中，所述第一縫隙位于與所述第一縫隙相鄰的兩個所述第二縫隙的中心位置。

在本公開的一些實施例中，所述第一縫隙沿所述第一內襯軸向延伸，和/或所述第二縫隙沿所述第二內襯軸向延伸。

根據本公開的另一個方面，提供了一種反應腔室，包括：基座，用于承載代加工工件；靶材，設置在所述反應腔室的上部空間中；上述的內襯組件，所述內襯組件設置于所述靶材以下、所述基座以上的所述反應腔室側壁，以防止所述靶材沉積至所述反應腔室側壁。

在本公開的一些實施例中，上述反應腔室還包括線圈，環繞耦接在所述靶材與所述基座之間的所述反應腔室側壁，其中，所述線圈與射頻電源耦合。