[實用新型]內(nèi)襯組件、反應(yīng)腔室及半導體加工設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821806205.9 | 申請日： | 2018-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN209133451U | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 侯玨;蘭玥;佘清;張璐;劉建生 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 內(nèi)襯 兩層 內(nèi)襯組件 平面的 投影 半導體加工設(shè)備 反應(yīng)腔室 周向開設(shè) 接地 不重疊 | ||
1.一種內(nèi)襯組件，其特征在于，所述內(nèi)襯組件包括：
套設(shè)的至少兩層內(nèi)襯，所述至少兩層內(nèi)襯接地，每層內(nèi)襯沿其周向開設(shè)有多個縫隙，對于所述至少兩層內(nèi)襯中的任意相鄰兩層內(nèi)襯，其中一層內(nèi)襯的所述多個縫隙在一平面的投影與其中另一層內(nèi)襯的所述多個縫隙在所述平面的投影不重疊，所述平面為所述相鄰兩層內(nèi)襯中其中一層內(nèi)襯軸線所在的平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述任意相鄰兩層內(nèi)襯包括：
第一內(nèi)襯，所述第一內(nèi)襯的所述多個縫隙為第一縫隙；以及
第二內(nèi)襯，所述第二內(nèi)襯的所述多個縫隙為第二縫隙；
任一個所述第一縫隙、與所述任一個所述第一縫隙相鄰的一個所述第二縫隙、以及所述第一內(nèi)襯與所述第二內(nèi)襯之間、且位于所述任一個所述第一縫隙與所述相鄰的一個所述第二縫隙之間的間隙構(gòu)成一個屏蔽單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述屏蔽單元的深寬比為B/A+C/D，所述深寬比大于5，其中，A為所述第一縫隙在所述第一內(nèi)襯周向的寬度或所述第二縫隙在所述第二內(nèi)襯周向的寬度；B為所述第一內(nèi)襯徑向的厚度或所述第二內(nèi)襯徑向的厚度；C為相鄰兩個第一縫隙在所述第一內(nèi)襯周向的距離，或者相鄰兩個第二縫隙在所述第二內(nèi)襯周向的距離；D為所述第一內(nèi)襯與所述第二內(nèi)襯在所述第一內(nèi)襯徑向或所述第二內(nèi)襯徑向的間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，相鄰兩個所述第一縫隙在所述第一內(nèi)襯周向的距離以及相鄰兩個第二縫隙在所述第二內(nèi)襯周向的距離均不小于2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一內(nèi)襯徑向的厚度和所述第二內(nèi)襯徑向的厚度均為5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一內(nèi)襯與所述第二內(nèi)襯之間的徑向間距小于10mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的周向?qū)挾纫约八龅诙p隙的周向?qū)挾确秶鶠?.5mm至10mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的數(shù)量和所述第二縫隙的數(shù)量均為數(shù)十量級。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的數(shù)量和所述第二縫隙的數(shù)量均不小于60。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的數(shù)量與所述第二縫隙的數(shù)量相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一縫隙位于與所述第一縫隙相鄰的兩個所述第二縫隙的中心位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯組件，其特征在于，所述第一縫隙沿所述第一內(nèi)襯軸向延伸，和/或所述第二縫隙沿所述第二內(nèi)襯軸向延伸。
13.一種反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室包括：
基座，用于承載待加工工件；
靶材，設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的上部空間中；
根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項所述的內(nèi)襯組件，所述內(nèi)襯組件設(shè)置于所述靶材以下、所述基座以上的所述反應(yīng)腔室側(cè)壁，以防止所述靶材沉積至所述反應(yīng)腔室側(cè)壁。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室還包括：
線圈，環(huán)繞耦接在所述靶材與所述基座之間的所述反應(yīng)腔室側(cè)壁，其中，所述線圈與射頻電源耦合。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述任意相鄰兩層內(nèi)襯的所述多個縫隙在所述平面的投影區(qū)域的高度均大于所述線圈在所述平面的投影區(qū)域的高度，所述高度為在所述任意相鄰兩層內(nèi)襯中其中一層內(nèi)襯軸線方向的長度。
16.一種半導體加工設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求13至15中任一項所述的反應(yīng)腔室。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司，未經(jīng)北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821806205.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
