[實用新型]功率芯片封裝結構有效
| 申請號： | 201821805402.9 | 申請日： | 2018-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN208954972U | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 冷中明;謝智正 | 申請（專利權）人： | 尼克森微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄化 芯片 支撐材 導電 封裝結構 功率芯片 內表面 基板 芯片封裝結構 本實用新型 線路基板 彎折 | ||
1.一種功率芯片封裝結構，其特征在于，所述功率芯片封裝結構包括：
一薄化芯片，其具有一主動側以及一相反于所述主動側的背側；以及
一導電支撐材，其設置于所述薄化芯片的所述背側，其中，所述導電支撐材具有面向所述薄化芯片的一內表面，所述薄化芯片的一背側的表面的面積與所述內表面的面積的比值范圍是由0.5至1。
2.根據權利要求1所述的功率芯片封裝結構，其特征在于，所述功率芯片封裝結構還進一步包括：一導電膠層，所述導電膠層位于所述薄化芯片與所述導電支撐材之間，且所述導電支撐材通過所述導電膠固定于所述薄化芯片的所述背側。
3.根據權利要求2所述的功率芯片封裝結構，其特征在于，所述導電膠層為焊料層或者是含金屬的膠層。
4.根據權利要求1所述的功率芯片封裝結構，其特征在于，所述薄化芯片具有至少兩個相互并聯的功率晶體管。
5.根據權利要求4所述的功率芯片封裝結構，其特征在于，每一所述功率晶體管與一二極管串聯。
6.根據權利要求4所述的功率芯片封裝結構，其特征在于，所述功率芯片封裝結構還進一步包括：一背電極，所述背電極位于所述薄化芯片的背側，并電性連接于兩個所述功率晶體管的兩個漏極。
7.根據權利要求1所述的功率芯片封裝結構，其特征在于，所述薄化芯片的厚度范圍由50μm至125μm。
8.根據權利要求1所述的功率芯片封裝結構，其特征在于，所述導電支撐材的厚度大于或等于50μm。
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