[實用新型]一種溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821785110.3 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN208835053U | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/528 | 分類號: | H01L23/528;H01L21/768;H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 于寶慶;崔香丹 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬互連層 保護(hù)圈 基底 金屬間介電層 層間介電層 字線結(jié)構(gòu) 第二連接件 第一連接件 芯片區(qū)域 本實用新型 層疊狀設(shè)置 最底層金屬 電位浮動 浮動節(jié)點 互連層 最底層 字線 泄露 | ||
一種溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu),包括:基底,溝槽,字線結(jié)構(gòu),多個金屬互連層,金屬間介電層以及層間介電層?;拙哂卸鄠€芯片區(qū)域以及位于相鄰所述芯片區(qū)域間的保護(hù)圈區(qū)域。溝槽位于保護(hù)圈區(qū)域中。字線結(jié)構(gòu)位于所述溝槽中。多個金屬互連層位于所述基底上,呈層疊狀設(shè)置。金屬間介電層位于相鄰所述金屬互連層之間,其中所述金屬間介電層中具有第一連接件,所述第一連接件連接上下相鄰的所述金屬互連層。層間介電層位于最底層的所述金屬互連層與所述基底之間,其中所述層間介電層中具有第二連接件,所述第二連接件連接最底層金屬互連層和所述字線結(jié)構(gòu)。本實用新型的溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)能夠減少字線通道的泄露路徑,同時能夠避免浮動節(jié)點電位浮動。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體存儲器。特別涉及內(nèi)存組件裝置構(gòu)造中的溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
主芯片保護(hù)圈是晶元封裝和劃片的一道重要保護(hù)屏障。芯片保護(hù)圈可阻擋外界濕氣和應(yīng)力對晶元造成的損傷,以實現(xiàn)良好的產(chǎn)品可靠性。傳統(tǒng)的保護(hù)圈由簡單硅襯底和其上金屬互連層及通道形成,類似于“墻”的結(jié)構(gòu)。然而現(xiàn)有技術(shù)的芯片保護(hù)圈存在電泄露路徑和節(jié)點的電位浮動等問題,需要更好的解決方案。
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供一種溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu),能夠減少保護(hù)圈結(jié)構(gòu)的電泄露,同時也避免節(jié)點的電位浮動。
本實用新型還提供一種溝槽保護(hù)圈,包括:基底、溝槽、字線結(jié)構(gòu)、多個金屬互連層,金屬間介電層以及層間介電層?;拙哂卸鄠€芯片區(qū)域以及位于相鄰芯片區(qū)域間的保護(hù)圈區(qū)域。溝槽位于保護(hù)圈區(qū)域中。字線結(jié)構(gòu)位于溝槽中。多個金屬互連層位于基底上,呈層疊狀設(shè)置。金屬間介電層位于相鄰金屬互連層之間,其中金屬間介電層中具有第一連接件,第一連接件連接上下相鄰的金屬互連層。層間介電層位于最底層的金屬互連層與基底之間,其中層間介電層中具有第二連接件,第二連接件連接最底層金屬互連層和字線結(jié)構(gòu)。
在本實用新型的一些實施例中,保護(hù)圈區(qū)域中的溝槽內(nèi)的字線結(jié)構(gòu)電位接地。
在本實用新型的一些實施例中,溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)中包含多個溝槽以及多個字線結(jié)構(gòu),溝槽的數(shù)量與字線結(jié)構(gòu)的數(shù)量相同,字線以及溝槽的數(shù)量為2或2的倍數(shù)。
在本實用新型的一些實施例中,最底層的金屬互連層與多個字線結(jié)構(gòu)中的至少一個通過第二連接件相連接。
在本實用新型的一些實施例中,芯片區(qū)域包含與溝槽保護(hù)圈區(qū)域中對應(yīng)相同或相似的各個部件,部件包括溝槽、字線結(jié)構(gòu)、層間介電層、第二連接件、金屬互連層、金屬間介電層以及第一連接件。
在本實用新型的一些實施例中,保護(hù)圈區(qū)域內(nèi)的金屬互連層、第一連接件、第二連接件以及字線結(jié)構(gòu)與芯片區(qū)域內(nèi)對應(yīng)的相同或相似的部件互不相連。
本實用新型的有益效果在于,通過在保護(hù)圈區(qū)域內(nèi)的基底中設(shè)置兩個字線結(jié)構(gòu),字線結(jié)構(gòu)電位接地以減少保護(hù)圈結(jié)構(gòu)的電泄露路徑。同時將多個字線結(jié)構(gòu)其中的至少一個通過連接件連接到金屬互連層,能夠避免節(jié)點電位浮動。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的包含溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)的基底剖視示意圖;
圖2是本實用新型的包含溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)的基底剖視示意圖。
圖3是本實用新型的基底的俯視示意圖。
具體實施方式
以下是通過特定的具體實例來說明本實用新型所公開有關(guān)“溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)”及“溝槽保護(hù)圈結(jié)構(gòu)的形成方法”的實施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所公開的內(nèi)容了解本實用新型的優(yōu)點與效果。本實用新型可通過其他不同的具體實施例加以施行或應(yīng)用,本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可基于不同觀點與應(yīng)用,在不悖離本實用新型的構(gòu)思下進(jìn)行各種修改與變更。以下的實施方式將進(jìn)一步詳細(xì)說明本實用新型的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容,但所公開的內(nèi)容并非用以限制本實用新型的保護(hù)范圍。
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