[實用新型]一種新型屏蔽柵功率MOS的器件有效

申請號：	201821774123.0	申請日：	2018-10-30
公開（公告）號：	CN209626226U	公開（公告）日：	2019-11-12
發明（設計）人：	李澤宏;吳玉舟;王為;謝馳	申請（專利權）人：	貴州恒芯微電子科技有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L23/552
代理公司：	貴陽中新專利商標事務所 52100	代理人：	劉楠
地址：	550000 貴州省貴陽市市轄區國家高新技術***	國省代碼：	貴州;52
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摘要：
搜索關鍵詞：	屏蔽柵本實用新型摻雜多晶硅功率MOS器件傳統屏蔽新型屏蔽功率MOS 氧化層層間正向導通電阻重摻雜多晶硅柵氧可靠性電位浮空擊穿電壓密勒電容輸入電容柵極結構柵氧化層柵源電容工藝流程熱生長柵結構浮空減小源極制造
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【權利要求書】：

1.一種新型屏蔽柵功率MOS器件，包括金屬化漏端電極(1)、N+襯底(2)、位于N+襯底(2)上方的N-外延層(3)，其特征在于：所述N-外延層(3)上部兩側為P型體區(4)，所述P型體區(4)中設置有相互獨立的N+源區(5)，在N-外延層(3)上表面刻蝕形成溝槽后氧化形成底部氧化層(6)，在底部氧化層(6)內依次淀積不摻雜多晶硅并刻蝕形成屏蔽柵(7)和淀積重摻雜多晶硅形成柵極(8)，在P型體區(4)上端面依次淀積淀積的硼磷硅玻璃(9)和上表面金屬化源極(10)，其中不摻雜的多晶硅屏蔽柵(7)不與源極(10)形成電連接。

2.根據權利要求1所述的新型屏蔽柵功率MOS器件，其特征在于，在重摻雜多晶硅柵極(8)和不摻雜多晶硅屏蔽柵(7)之間無層間氧化層。

3.根據權利要求1所述的新型屏蔽柵功率MOS器件，其特征在于，該新型屏蔽柵功率MOS器件適用于P溝道新型屏蔽柵功率MOS器件。

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