[實用新型]圖像傳感器有效
| 申請號: | 201821769008.4 | 申請日: | 2018-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN208985985U | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 中村圭 | 申請(專利權)人: | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/372 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚開麗 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 行控制電路 驗證電路 圖像傳感器 行控制信號 成像像素 電流源 金屬氧化物半導體晶體管 金屬氧化物半導體 光電二極管 控制信號 晶體管 堆疊 使能 | ||
一種圖像傳感器,所述圖像傳感器可由堆疊的第一襯底和第二襯底形成。在所述第一襯底中可形成各自具有光電二極管和伴隨晶體管的成像像素的陣列。在所述第一襯底中還可形成驗證電路。在所述第二襯底中可形成行控制電路。所述行控制電路可將行控制信號提供到所述成像像素的陣列。所述驗證電路還可從所述行控制電路接收所述行控制信號。所述第一襯底可包括多個n溝道金屬氧化物半導體晶體管并且可不包括任何p溝道金屬氧化物半導體晶體管。所述第二襯底還可包括耦接到所述驗證電路的p溝道金屬氧化物半導體電流源。只有被來自所述行控制電路的控制信號使能的所述驗證電路部分可從所述電流源接收電流。
相關申請的交叉引用
本申請要求提交于2017年11月14日的臨時專利申請No.62/585,698的權益和優先權,該申請據此全文以引用方式并入本文。
技術領域
本實用新型整體上涉及圖像傳感器,并且更具體地講,涉及用于測試圖像傳感器中的部件的完整性的電路。
背景技術
圖像傳感器常在電子設備,諸如移動電話、相機和計算機中用來捕獲圖像。常規圖像傳感器是通過使用互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術或電荷耦接器件(CCD)技術在半導體襯底上制造而成。圖像傳感器可包括圖像傳感器像素陣列,每個像素包括光電二極管和其他運行電路,諸如襯底中形成的晶體管。
圖像傳感器在整個電子設備壽命期內可能容易出現故障。常規的圖像傳感器有時設置有用于測試圖像傳感器的功能的方法和電路。然而,包括用于測試圖像傳感器的功能的電路可能導致圖像傳感器的制造過程變得復雜。此外,在常規的圖像傳感器中,單個半導體襯底用于圖像傳感器。這可能減少可供像素光電二極管使用的空間量。
因此,希望能夠提供包括用于測試圖像傳感器的功能的電路的改進的圖像傳感器。
實用新型內容
根據第一實施例的一種圖像傳感器,所述圖像傳感器包括:第一襯底和第二襯底;成像像素的陣列,所述成像像素的陣列位于所述第一襯底中,其中,每個成像像素包括光電二極管;行控制電路,所述行控制電路位于所述第二襯底中,其中,所述行控制電路被配置成將行控制信號提供到所述成像像素的陣列;和位于所述第一襯底中的驗證電路,所述驗證電路從所述行控制電路接收所述行控制信號,其中,所述第一襯底包括多個n溝道金屬氧化物半導體晶體管并且不包括任何p溝道金屬氧化物半導體晶體管。
根據第二實施例的另一種圖像傳感器,所述圖像傳感器包括:第一襯底和第二襯底;成像像素的陣列,所述成像像素的陣列位于所述第一襯底中并被布置成多行和多列;多個虛擬像素,所述多個虛擬像素位于所述第一襯底中并被布置成多行和至少一列;以及行控制電路,所述行控制電路位于所述第二襯底中,其中,所述行控制電路被配置成將相應的控制信號提供到每行成像像素和每行虛擬像素,其中,所述控制信號選擇性地使能每個虛擬像素中的驗證電路,并且其中所述第一襯底不包括任何p溝道金屬氧化物半導體晶體管。
根據第三實施例的另一種圖像傳感器,所述圖像傳感器包括第一襯底和第二襯底,其中,所述第一襯底包括:成像像素的陣列,所述成像像素的陣列包括多個n溝道金屬氧化物半導體晶體管并且不包括任何p溝道金屬氧化物半導體晶體管;和驗證電路,所述驗證電路包括多個n溝道金屬氧化物半導體晶體管并且不包括任何p溝道金屬氧化物半導體晶體管;所述第二襯底與所述第一襯底重疊,其中所述第二襯底包括:電流源,所述電流源耦接到所述驗證電路,所述驗證電路包括至少一個p溝道金屬氧化物半導體晶體管;以及行控制電路,所述行控制電路位于所述第二襯底中,其中,所述行控制電路被配置成將第一行控制信號提供到所述成像像素的陣列中的第一行成像像素以及所述驗證電路的第一部分,并且其中所述第一行控制信號控制所述驗證電路的所述第一部分是否從所述電流源接收電流。
附圖說明
圖1是根據一個實施方案的具有圖像傳感器的示例性電子設備的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





