[實(shí)用新型]圖像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821769008.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208985985U | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中村圭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/372 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚開麗 |
| 地址: | 美國(guó)亞*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 行控制電路 驗(yàn)證電路 圖像傳感器 行控制信號(hào) 成像像素 電流源 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 金屬氧化物半導(dǎo)體 光電二極管 控制信號(hào) 晶體管 堆疊 使能 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
第一襯底和第二襯底;
成像像素的陣列,所述成像像素的陣列位于所述第一襯底中,其中,每個(gè)成像像素包括光電二極管;
行控制電路,所述行控制電路位于所述第二襯底中,其中,所述行控制電路被配置成將行控制信號(hào)提供到所述成像像素的陣列;和
位于所述第一襯底中的驗(yàn)證電路,所述驗(yàn)證電路從所述行控制電路接收所述行控制信號(hào),其中,所述第一襯底包括多個(gè)n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管并且不包括任何p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,還包括:
電流源,所述電流源耦接到所述驗(yàn)證電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中,所述電流源為p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體電流源。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體電流源形成在所述第二襯底中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中,所述驗(yàn)證電路包括多個(gè)虛擬像素,其中,每個(gè)虛擬像素具有相應(yīng)的驗(yàn)證電路部分,并且其中每個(gè)虛擬像素從所述行控制電路接收行選擇控制信號(hào),所述行選擇控制信號(hào)選擇性地使能該虛擬像素的所述相應(yīng)的驗(yàn)證電路部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其中,僅虛擬像素的被所述行選擇控制信號(hào)使能的所述驗(yàn)證電路部分從所述電流源接收電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其中,每個(gè)成像像素包括浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)、耦接在所述光電二極管與所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)之間的轉(zhuǎn)移晶體管、耦接到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的源極跟隨器晶體管、耦接到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的重置晶體管、以及耦接到所述源極跟隨器晶體管的行選擇晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其中,所述多個(gè)虛擬像素包括至少一列虛擬像素,其中,所述至少一列虛擬像素中的每列虛擬像素耦接到相應(yīng)的列輸出線,并且其中,每個(gè)列輸出線耦接到相應(yīng)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
9.一種圖像傳感器,包括:
第一襯底和第二襯底;
成像像素的陣列,所述成像像素的陣列位于所述第一襯底中并被布置成多行和多列;
多個(gè)虛擬像素,所述多個(gè)虛擬像素位于所述第一襯底中并被布置成多行和至少一列;和
行控制電路,所述行控制電路位于所述第二襯底中,其中,所述行控制電路被配置成將相應(yīng)的控制信號(hào)提供到每行成像像素和每行虛擬像素,其中,所述控制信號(hào)選擇性地使能每個(gè)虛擬像素中的驗(yàn)證電路,并且其中所述第一襯底不包括任何p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
10.一種圖像傳感器,包括:
第一襯底,其中,所述第一襯底包括:
成像像素的陣列,所述成像像素的陣列包括多個(gè)n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管并且不包括任何p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管;和
驗(yàn)證電路,所述驗(yàn)證電路包括多個(gè)n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管并且不包括任何p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管;和
第二襯底,所述第二襯底與所述第一襯底重疊,其中,所述第二襯底包括:
電流源,所述電流源耦接到所述驗(yàn)證電路,所述驗(yàn)證電路包括至少一個(gè)p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管;以及
行控制電路,所述行控制電路位于所述第二襯底中,其中,所述行控制電路被配置成將第一行控制信號(hào)提供到所述成像像素的陣列中的第一行成像像素以及所述驗(yàn)證電路的第一部分,并且其中所述第一行控制信號(hào)控制所述驗(yàn)證電路的所述第一部分是否從所述電流源接收電流。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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