[實用新型]一種半導體結構有效
| 申請號： | 201821761898.4 | 申請日： | 2018-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN208835056U | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 吳婭妮;于寶慶 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 支撐結構層 絕緣層 犧牲層 存儲節點接觸塞 半導體結構 襯底 本實用新型 刻蝕 制備電容器 高深寬比 中間結構 阻抗問題 高電阻 暴露 可用 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
襯底；
絕緣層，設置于所述襯底上；
存儲節點接觸塞，設置于所述絕緣層中，并與所述襯底相接；
第一支撐結構層，設置于所述絕緣層上，在所述第一支撐結構層中開設有第一孔，所述存儲節點接觸塞暴露于所述第一孔；
犧牲層，設置于所述第一孔中并覆蓋所述存儲節點接觸塞；以及
第二支撐結構層，設置于所述第一支撐結構層上，在所述第二支撐結構層中開設有第二孔，所述犧牲層暴露于所述第二孔。
2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述存儲節點接觸塞貫穿所述絕緣層，所述存儲節點接觸塞包括第一表面及與所述第一表面相對設置的第二表面，所述第一表面與所述襯底相接觸，所述第二表面暴露于所述第一孔。
3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述第一支撐結構層包括第一支撐層和第一介質層，所述第一支撐層設置于所述絕緣層上，所述第一介質層設置于所述第一支撐層上。
4.根據權利要求3所述的結構，其特征在于，所述第一支撐層為氮化硅層，所述第一介質層為氧化層。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的結構，其特征在于，所述第二支撐結構層包括多個支撐層和多個介質層，每個所述介質層夾設于兩個所述支撐層之間。
6.根據權利要求5所述的結構，其特征在于，所述第二支撐結構層包括依次疊置的第二支撐層、第二介質層、第三支撐層、第三介質層和頂部支撐層，所述第二支撐結構層通過所述第二支撐層設置于所述第一支撐結構層上。
7.根據權利要求6所述的結構，其特征在于，所述第二支撐層、所述第三支撐層和所述頂部支撐層均為氮化硅層，所述第二介質層、所述第三介質層均為氧化物層。
8.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述犧牲層的高度等于所述第一支撐結構層的高度。
9.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述犧牲層的高度為500～1500nm。
10.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述第一孔與所述第二孔相連通組成第三孔，所述第三孔的深寬比大于8:1。
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