[實(shí)用新型]器件和半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821760553.7
• 申請(qǐng)日: 2018-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209087825U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·羅德里奎茲;A·M·阿谷唐;M·G·馬明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;郭星

1.一種器件，其特征在于，包括：

襯底，具有第一多個(gè)暴露的金屬引線和第二多個(gè)暴露的金屬引線以及在所述襯底的表面上的焊盤；

半導(dǎo)體電路管芯，被安裝在所述焊盤上、并且被電耦合至所述襯底上的所述第一多個(gè)暴露的金屬引線；以及

表面安裝結(jié)構(gòu)，被安裝在所述襯底的第一表面上、并且被電耦合至所述襯底的所述第一表面，所述表面安裝結(jié)構(gòu)包括被耦合在第一端部與第二端部之間的電氣元件，所述第一端部被耦合至所述第二多個(gè)暴露的金屬引線中的第一暴露的金屬引線，并且所述第二端部被耦合至所述第二多個(gè)暴露的金屬引線中的第二暴露的金屬引線，以將所述表面安裝結(jié)構(gòu)電連接至所述襯底的所述第一表面，并且所述第一端部包括被定位在耦合邊緣周圍的凹陷構(gòu)件，在所述耦合邊緣處，所述第一端部被耦合至所述第一暴露的金屬引線；以及

耦合介質(zhì)，在所述第一端部與所述第一暴露的金屬引線之間，所述耦合介質(zhì)被至少部分地定位在所述凹陷構(gòu)件內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述耦合介質(zhì)包括導(dǎo)電粘合劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述凹陷構(gòu)件是延伸通過(guò)所述第一端部的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁的臺(tái)階部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述凹陷構(gòu)件是被限定在所述第一端部的邊緣表面內(nèi)的腔部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于，所述腔部是局部凹坑部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述凹陷構(gòu)件的高度等于或者大于所述第一端部的高度的一半。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述凹陷構(gòu)件在其最寬部分的寬度等于或者大于所述第一端部的寬度的百分之七十五。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其特征在于，所述局部凹坑部分在所述第一端部的底部邊緣的寬度等于或者大于所述第一端部的寬度的百分之七十五。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述表面安裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述電氣元件包括無(wú)源半導(dǎo)體元件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一端部包括所述凹陷構(gòu)件周圍的連接元件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其特征在于，所述連接元件包括連接焊盤。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其特征在于，所述連接元件包括至少部分地限定所述凹陷構(gòu)件的金屬層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，所述金屬層與所述表面安裝結(jié)構(gòu)的、與所述襯底的所述表面相對(duì)的第一表面部分地重疊，并且所述金屬層延伸通過(guò)所述凹陷構(gòu)件。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，所述金屬層延伸至所述表面安裝結(jié)構(gòu)的、與所述第一表面相對(duì)的第二表面，并且被耦合至所述第二表面上的所述電氣元件。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一多個(gè)暴露的金屬引線和所述第二多個(gè)暴露的金屬引線至少部分重疊。

16.一種器件，其特征在于，包括：

引線框架襯底，包括多個(gè)暴露的金屬引線和表面上的焊盤；

半導(dǎo)體管芯，被附接至所述焊盤；以及

分立半導(dǎo)體器件，被安裝在所述表面上、并且包括被耦合至暴露的金屬引線的端部，所述端部包括與所述暴露的金屬引線鄰近的凹陷構(gòu)件。