[實用新型]一種新型VDMOS元胞有效
| 申請號： | 201821757604.0 | 申請日： | 2018-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN209929314U | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發明（設計）人： | 林美玉 | 申請（專利權）人： | 廣州市力馳微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市廣州高新技術產*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微電子技術領域 本實用新型 產品良率 導通電阻 接觸電阻 區域預留 預留通道 工步 功耗 源極 整機 過道 弱化 引入 制作 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型VDMOS元胞，其特征在于：它包括柵極氧化層、介質層、多晶、pbody溝道區、P+區域、N+區域、cont和金屬層，所述P+區域內預留有N+通道，N+通道注入N+。
2.根據權利要求1所述的一種新型VDMOS元胞，其特征在于：所述N+過道長度為1um～5um，所述N+過道寬度為1um～5um。
3.根據權利要求1所述的一種新型VDMOS元胞，其特征在于：所述N+過道設置為橫向。
4.根據權利要求1所述的一種新型VDMOS元胞，其特征在于：所述N+過道設置為縱向。
5.根據權利要求1所述的一種新型VDMOS元胞，其特征在于：所述N+過道在縱橫方向均設置。
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