[實用新型]一種化學氣相沉積反應用加熱器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821756831.1 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN208933469U | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 常強;肖學才;方明喜 | 申請(專利權)人: | 愛利彼半導體設備(中國)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱管 加熱器本體 化學氣相沉積 加熱器 一體成型 本實用新型 加熱進氣口 加熱排氣口 加熱區(qū)域 螺旋形管 氣體加熱 氣體通過 便捷性 貫穿 隔離 分割 | ||
本實用新型涉及一種化學氣相沉積反應用加熱器,包括加熱器本體,加熱器本體包括第一加熱管和第二加熱管,第一加熱管貫穿加熱器本體的一端一體成型有第一加熱進氣口,第一加熱管貫穿加熱器本體的另一端一體成型有第一加熱排氣口,第二加熱管安裝在第一加熱管的內(nèi)部;采用加熱器本體內(nèi)部采用第一加熱管和第二加熱管,使加熱器本體內(nèi)部的氣體進行隔離,使氣體通過加熱器本體內(nèi)部的第一加熱管和第二加熱管分割成三個加熱區(qū)域,增加氣體加熱的便捷性,同時第一加熱管和第二加熱管均采用螺旋形管,增加第一加熱管和第二加熱管的表面面積,增加氣體與第一加熱管和第二加熱管接觸的時間。
技術領域
本實用新型屬于化學氣相沉積技術領域,具體涉及一種化學氣相沉積反應用加熱器。
背景技術
化學氣相沉積反應用加熱器,對需要進行化學氣相沉淀反應的氣體進行加熱,化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。它大致包含三步:形成揮發(fā)性物質(zhì);把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域;在固體上產(chǎn)生化學反應并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì)。最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。
現(xiàn)有的化學氣相沉積反應用加熱器,對氣體進行加熱時,氣體由于進行反應的溫度不同,需要采用多個加熱裝置對氣體進行加熱,提高了設備采購數(shù)量,增加進行化學氣相沉積反應的成本。
實用新型內(nèi)容
為解決上述背景技術中提出的問題。本實用新型提供了一種化學氣相沉積反應用加熱器,具有氣體加熱速率快,一個設備可以進行三種類別的加熱方式,設備采購成本低的特點。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種化學氣相沉積反應用加熱器,包括加熱器本體,所述加熱器本體包括第一加熱管和第二加熱管,所述第一加熱管貫穿加熱器本體的一端一體成型有第一加熱進氣口,所述第一加熱管貫穿加熱器本體的另一端一體成型有第一加熱排氣口,所述第二加熱管安裝在第一加熱管的內(nèi)部,所述第二加熱管貫穿第一加熱管的一端一體成型有第二加熱進氣口,所述第二加熱管貫穿第一加熱管的另一端一體成型有第二加熱排氣口,所述第一加熱管和第二加熱管之間安裝有第一加熱電阻絲。
為了增加加熱器本體結構的穩(wěn)定性,作為本實用新型的一種化學氣相沉積反應用加熱器優(yōu)選技術方案,所述加熱器本體還包括加熱器外殼體、加熱器內(nèi)殼體和隔熱板,所述隔熱板填充在加熱器外殼體和加熱器內(nèi)殼體之間,所述加熱器外殼體和加熱器內(nèi)殼體均為桶裝結構。
為了提高氣體加熱速率,作為本實用新型的一種化學氣相沉積反應用加熱器優(yōu)選技術方案,所述第一加熱管和第二加熱管均為螺旋形管狀結構,所述第一加熱電阻絲螺旋環(huán)繞在第二加熱管的外表面。
為了增加氣體加熱的速率,作為本實用新型的一種化學氣相沉積反應用加熱器優(yōu)選技術方案,所述第一加熱管的外表面環(huán)繞有第二加熱電阻絲,所述第二加熱電阻絲設置有五個。
為了使氣體進行加熱時進行區(qū)分,作為本實用新型的一種化學氣相沉積反應用加熱器優(yōu)選技術方案,所述第二加熱電阻絲為環(huán)形結構,五個所述第二加熱電阻絲通過螺栓等間距固定在加熱器內(nèi)殼體的內(nèi)表面。
為了增加氣體加熱的便捷性,作為本實用新型的一種化學氣相沉積反應用加熱器優(yōu)選技術方案,所述加熱器本體靠近第一加熱進氣口的表面貫通有第三加熱進氣口,所述加熱器本體靠近第一加熱排氣口的表面貫通有第三加熱排氣口。
與現(xiàn)有技術相比,本實用新型的化學氣相沉積反應用加熱器具有如下有益效果:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于愛利彼半導體設備(中國)有限公司,未經(jīng)愛利彼半導體設備(中國)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821756831.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種氧化鋁膜制備裝置
- 下一篇:一種化學氣相沉積反應器
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





