[實用新型]一種焊盤結構有效
| 申請號: | 201821748592.5 | 申請日: | 2018-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN208835047U | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 董天寶;于寶慶 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護層 金屬層 孔洞 開口 本實用新型 焊盤結構 周圍區域 暴露 側壁 焊盤 | ||
1.一種焊盤結構,其特征在于,包括:
金屬層;
保護層,位于所述金屬層上并具有一開口以暴露出所述金屬層的一部分,被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤;
其中,所述保護層靠近所述開口的周圍區域具有若干孔洞。
2.根據權利要求1所述的焊盤結構,其特征在于,所述開口的長度和寬度范圍為5-20um,所述孔洞的長度和寬度的范圍為0.3-0.6um。
3.根據權利要求1所述的焊盤結構,其特征在于,所述金屬層材料包含銅、鋁、鎢或包含這三種金屬元素中至少一種金屬元素的合金。
4.根據權利要求1所述的焊盤結構,其特征在于,所述保護層包括鈍化層和位于所述鈍化層之上的隔離層;所述鈍化層為硅的氧化物層和硅的氮化物層的組合,所述硅的氧化物層位于所述金屬層之上,所述硅的氮化物層位于所述硅的氧化物層之上;所述隔離層為聚酰亞胺薄膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司,未經長鑫存儲技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821748592.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體結構、半導體器件及存儲裝置
- 下一篇:一種IGBT模塊側框的Z型端子





