[實用新型]一種焊盤結構

有效

• 申請號: 201821748592.5
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN208835047U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/485
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 董天寶;于寶慶

本實用新型提供一種焊盤結構，包括：金屬層；保護層，位于所述金屬層上并具有一開口以暴露出所述金屬層的一部分，被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤；其中，所述保護層靠近所述開口的周圍區域具有若干孔洞。本實用新型通過在保護層靠近開口的周圍區域設置若干孔洞，可利用該若干孔洞在保護層靠近開口的側壁形成斜面，使引線平緩地越過保護層，從而降低引線的應力，進而提高產品的可靠性。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，特別涉及一種焊盤結構。

背景技術

引線鍵合(wire bonding)是用金屬絲將半導體裸芯片(Die)焊區與微電子封裝的I/O引線或者基板上的金屬布線焊區(Pad)連接起來的工藝技術，通常采用熱、壓力、超聲波能量來進行，在半導體封裝領域具有廣泛應用。

目前的引線鍵合工藝中，引線焊點兩側通常為鈍化層，作為封裝和晶片切割的保護屏障，用以阻擋水汽、破損、α粒子和應力，以實現良好的產品可靠性。引線在越過鈍化層時要形成的彎曲以避免與其接觸，但引線焊點兩側的鈍化層通常是垂直地形成在金屬層上，這種情況下引線會形成接近垂直的彎曲，具有高應力和低可靠性，在使用過程中可能會產生斷路，從而造成產品良率較低。

需注意的是，前述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本實用新型的背景理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

實用新型內容

本實用新型目的是提供一種半導體器件結構的形成方法和焊盤結構，用以解決引線應力高而導致可靠性較低的問題。

為了實現上述目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種半導體器件結構的形成方法，包括：

提供金屬層；

在所述金屬層上形成保護層，在所述保護層形成開口以暴露出所述金屬層的一部分，被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤；

在所述保護層靠近所述開口的側壁形成斜面，所述斜面延伸面與所述金屬層所在平面具有第一夾角；

其中，在形成所述開口的同時在所述保護層的開口區域周圍形成若干孔洞，再通過熱回流方法，使所述孔洞坍塌內縮，從而在所述開口的側壁形成斜面；

在所述焊盤上形成焊球并向外延伸出引線。

根據本實用新型的一個實施方式，所述開口的長度和寬度范圍為5-20um，所述孔洞的長度和寬度的范圍為0.3-0.6um。

根據本實用新型的一個實施方式，所述金屬層材料為銅、鋁、鎢或包含這三種金屬元素中至少一種金屬元素的合金。

根據本實用新型的一個實施方式，所述保護層包括鈍化層和位于所述鈍化層之上的隔離層；所述鈍化層為硅的氧化物層和硅的氮化物層的組合，所述硅的氧化物層形成于所述金屬層之上，所述硅的氮化物層形成于所述硅的氧化物層之上；所述隔離層為聚酰亞胺薄膜。

根據本實用新型的一個實施方式，所述焊球和所述引線的材料同為金、銀或鋁。

根據本實用新型的一個實施方式，所述第一夾角的角度范圍為30-60度。

根據本實用新型的一個實施方式，形成所述開口和所述孔洞的方法采用干法刻蝕。

根據本實用新型的一個實施方式，所述熱回流的方法采用加熱溫度范圍為200度到400度。

另一方面，本實用新型還提供一種焊盤結構，包括：

金屬層；

保護層，位于所述金屬層上并具有一開口以暴露出所述金屬層的一部分，被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤；

其中，所述保護層靠近所述開口的周圍區域具有若干孔洞。