[實用新型]一種高速晶體管

有效

• 申請號: 201821733956.2
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN208819889U
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 張宇;丁慶;吳光勝;馮軍正;藍永海
• 申請（專利權）人: 深圳市華訊方舟微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/24;H01L21/34
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 官建紅

本實用新型屬于電子技術領域，公開了一種高速晶體管，高速晶體管包括襯底層；設置在襯底層上表面的溝道層；設置在溝道層上表面的第一非摻雜(AlxGa1?x)₂O₃層；設置在第一非摻雜(AlxGa1?x)₂O₃層上表面的高摻雜(AlxGa1?x)₂O₃層；設置在高摻雜(AlxGa1?x)₂O₃層上表面的電壓調制層；間隔設置在電壓調制層上表面的源電極和漏電極；及設置在電壓調制層上表面，且位于源電極和漏電極之間區域的柵電極；由于通過超寬禁帶半導體材料體系制備新型高速大功率晶體管，并通過高摻雜(AlxGa1?x)₂O₃層調制形成異質結二維電子氣，有效提高了器件的頻率和功率性能，同時提高了器件材料自身擊穿電壓，從而降低對器件封裝的要求，增加了產品的市場競爭力。

技術領域

本實用新型屬于電子技術領域，尤其涉及高速晶體管。

背景技術

傳統市場上的高速晶體管具有以第一氧化物半導體層和第二氧化物半導體層被堆疊的結構形成的有源層的驅動單元，其中，第一氧化物半導體層從銦錫氧化物中選出，第二氧化物半導體層從鋅氧化物中選出。由于銦錫氧化物和鋅氧化物禁帶寬度較小，器件材料自身擊穿電壓較小，且頻率性能和功率性能差，從而導致高速晶體管的穩定性差。

傳統的高速晶體管存在銦錫氧化物和鋅氧化物禁帶寬度較小從而導致高速晶體管的穩定性差的缺陷。

實用新型內容

本實用新型提供了一種高速晶體管，旨在解決傳統技術高速晶體管中存在銦錫氧化物和鋅氧化物禁帶寬度較小從而導致高速晶體管的穩定性差的問題。

本實用新型是這樣實現的，一種高速晶體管，包括：

襯底層；

設置在所述襯底層上表面的溝道層；

設置在所述溝道層上表面的第一非摻雜(Al_xGa_1-x)₂O₃層；

設置在所述第一非摻雜(Al_xGa_1-x)₂O₃層上表面的高摻雜(Al_xGa_1-x)₂O₃層；

設置在所述高摻雜(Al_xGa_1-x)₂O₃層上表面的電壓調制層；

間隔設置在所述電壓調制層上表面的源電極和漏電極；及

設置在所述電壓調制層上表面，且位于所述源電極和所述漏電極之間區域的柵電極。

在其中一個實施例中，還包括分別設置在所述源電極區域和所述漏電極區域的兩個N型摻雜層。

在其中一個實施例中，所述N型摻雜層的上表面為所述電壓調制層上表面。

在其中一個實施例中，所述N型摻雜層的下表面位于所述溝道層上表面和所述溝道層下表面之間。

在其中一個實施例中，所述高摻雜(Al_xGa_1-x)₂O₃層為高Si摻雜(Al_xGa_1-x)₂O₃層。

在其中一個實施例中，所述電壓調制層為第二非摻雜(Al_xGa_1-x)₂O₃層。