[實用新型]一種高速晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821733956.2 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN208819889U | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張宇;丁慶;吳光勝;馮軍正;藍永海 | 申請（專利權）人： | 深圳市華訊方舟微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 官建紅 |
| 地址： | 518102 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 上表面 高速晶體管 電壓調(diào)制 高摻雜 襯底層 非摻雜 溝道層 漏電極 源電極 禁帶半導體材料 電子技術領域 本實用新型 二維電子氣 高速大功率 市場競爭力 功率性能 擊穿電壓 間隔設置 器件材料 器件封裝 異質(zhì)結 柵電極 晶體管 超寬 調(diào)制 制備 | ||
1.一種高速晶體管，其特征在于，包括：
襯底層；
設置在所述襯底層上表面的溝道層；
設置在所述溝道層上表面的第一非摻雜(AlxGa1-x)2O3層；
設置在所述第一非摻雜(AlxGa1-x)2O3層上表面的高摻雜(AlxGa1-x)2O3層；
設置在所述高摻雜(AlxGa1-x)2O3層上表面的電壓調(diào)制層；
間隔設置在所述電壓調(diào)制層上表面的源電極和漏電極；及
設置在所述電壓調(diào)制層上表面，且位于所述源電極和所述漏電極之間區(qū)域的柵電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的高速晶體管，其特征在于，還包括分別設置在所述源電極區(qū)域和所述漏電極區(qū)域的兩個N型摻雜層。
3.根據(jù)權利要求2所述的高速晶體管，其特征在于，所述N型摻雜層的上表面為所述電壓調(diào)制層上表面。
4.根據(jù)權利要求2所述的高速晶體管，其特征在于，所述N型摻雜層的下表面位于所述溝道層上表面和所述溝道層下表面之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的高速晶體管，其特征在于，所述高摻雜(AlxGa1-x)2O3層為高Si摻雜(AlxGa1-x)2O3層。
6.根據(jù)權利要求1所述的高速晶體管，其特征在于，所述電壓調(diào)制層為第二非摻雜(AlxGa1-x)2O3層。
7.根據(jù)權利要求1所述的高速晶體管，其特征在于，所述溝道層為非摻雜Ga2O3層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
