[實用新型]一種化學機械拋光設備用拋光液供給裝置

有效

• 申請號: 201821727110.8
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN208895895U
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 肖學才;方明喜;常強
• 申請（專利權）人: 愛利彼半導體設備（中國）有限公司
• 主分類號: B24B57/02
• 分類號: B24B57/02;B24B37/015
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及一種化學機械拋光設備用拋光液供給裝置，包括原液儲存罐、去離子水儲存罐、拋光液供給罐，所述拋光液供給罐的上部設置有蓋體，所述蓋體上設置有攪拌電機，所述攪拌電機的輸出軸穿過所述蓋體與拋光液供給罐內的攪拌軸相連接，所述攪拌軸上均勻間隔設置有多組攪拌葉片，其中至少一組所述攪拌葉片朝下傾斜設置；所述拋光液供給罐內設置有水位計、溫度傳感器、拋光液濃度傳感器，所述拋光液供給罐內側底壁上設置有電加熱器；所述拋光液供給罐的外壁還緊密纏繞有制冷盤管。本實用新型能夠準確高效的向化學機械拋光設備提供合適濃度、合適溫度的拋光液，確保化學機械拋光設備的長時間穩定運行，提高拋光效率。

技術領域

本實用新型屬于化學機械拋光設備技術領域，特別涉及一種化學機械拋光設備用拋光液供給裝置。

背景技術

化學機械拋光(CMP)是一種對半導體材料或是其它類型材料的襯底進行平坦化或是拋光的方法。廣泛應用于集成電路(IC)制造業中。化學機械拋光是結合拋光液中化學溶液的腐蝕和磨粒的機械磨削雙重作用，使硅晶片獲得極高的平面度和平整度的一項工藝。拋光液的濃度和溫度是影響化學反應速度的主要因素，為了保證硅片表面的平整度和平面度，拋光過程中的化學反應速度和機械作用速度必須一致，若化學反應速度大于機械作用速度，將導致硅片表面腐蝕嚴重、去除不均勻，從而使得拋光質量下降，反之，將導致硅片表面劃傷，影響硅片表面質量。因此，在拋光過程中必須精確控制拋光液的濃度和溫度。

現有技術中，對于拋光液的制備溫度無法很好的去掌控，此外，拋光液中各溶液的混合效果不佳，導致了化學機械拋光效果不好。

實用新型內容

有鑒于此，為了解決上述問題，本實用新型提供一種化學機械拋光設備用拋光液供給裝置，能夠有效解決背景技術中提到的技術問題，并且具有控制結果準確，自動化程度高，結構簡單等優點。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種化學機械拋光設備用拋光液供給裝置，包括原液儲存罐、去離子水儲存罐、拋光液供給罐，所述原液儲存罐、去離子水儲存罐通過輸送泵、電磁三通調節閥、流量計與所述拋光液供給罐的入液口相連接；所述拋光液供給罐的上部設置有蓋體，所述蓋體上設置有攪拌電機，所述攪拌電機的輸出軸穿過所述蓋體與拋光液供給罐內的攪拌軸相連接，所述攪拌軸上均勻間隔設置有多組攪拌葉片，其中至少一組所述攪拌葉片朝下傾斜設置；所述拋光液供給罐內設置有水位計、溫度傳感器、拋光液濃度傳感器，所述拋光液供給罐內側底壁上設置有電加熱器；所述拋光液供給罐的外壁還緊密纏繞有制冷盤管，所述制冷盤管外部設置有保溫套，還包括壓縮機、冷凝器、節流裝置，所述制冷盤管的出口與壓縮機的入口相連接，所述壓縮機的出口依次與冷凝器、節流裝置相連接，所述節流裝置的出口與制冷盤管的入口相連接；還包括控制器，所述控制器分別與所述輸送泵、電磁三通調節閥、流量計、攪拌電機、電加熱器、水位計、溫度傳感器、拋光液濃度傳感器、壓縮機相連接。

進一步地，所述攪拌電機還與變頻調速器相連接。

進一步地，所述拋光液供給罐還包括出液口，與所述出液口相連的管道上設置有拋光液供給泵。

進一步地，所述節流裝置為毛細管或者膨脹閥。

進一步地，所述壓縮機為變頻壓縮機。

另外，在本實用新型所述技術方案中，凡未做特別說明的，均可采用本領域中的常規手段來實現本技術方案。