[實(shí)用新型]MOCVD設(shè)備的反應(yīng)裝置及MOCVD設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821726606.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209081979U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志升
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/44
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/44;H01L31/18
• 代理公司: 北京維澳專(zhuān)利代理有限公司 11252
• 代理人: 周放;王立民

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種MOCVD設(shè)備的反應(yīng)裝置及MOCVD設(shè)備，該反應(yīng)裝置包括基片載板和光源加熱器，所述光源加熱器設(shè)置在所述基片載板的下方，其中，所述反應(yīng)裝置還包括：承載部，在反應(yīng)加熱時(shí)所述承載部與所述基片載板共同形成封閉空間，所述光源加熱器設(shè)置在所述封閉空間內(nèi)。本實(shí)用新型提供的MOCVD設(shè)備的反應(yīng)裝置及MOCVD設(shè)備通過(guò)設(shè)置承載部，使其與基片載板之間形成封閉空間，避免了反應(yīng)沉積物落在光源加熱器的表面，保持光源加熱器長(zhǎng)久的正常工作，延長(zhǎng)了光源加熱器的工作壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備，尤其涉及一種MOCVD設(shè)備的反應(yīng)裝置及MOCVD設(shè)備。

背景技術(shù)

在砷化鎵太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中，要在電池的基片上形成金屬聚合物膜層，就需要MOCVD設(shè)備。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中MOCVD設(shè)備的反應(yīng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該反應(yīng)裝置包括反應(yīng)腔體100、氣體噴淋板200、基片載板300以及基片載板下面的光源加熱器400。該反應(yīng)裝置在工作時(shí)，工藝氣體通過(guò)氣體入口500進(jìn)入到反應(yīng)腔體100內(nèi)部，氣體噴淋板200噴向基片載板300上的電池基片表面，同時(shí)通過(guò)下面的光源加熱器400使基片載板300和基片載板300上的電池基片達(dá)到工藝溫度，氣體反應(yīng)后在電池基片上沉積形成金屬聚合物膜層。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中光源加熱器與基片載板之間的位置關(guān)系圖，如圖2所示，光源加熱器400在基片載板300下方固定不動(dòng)，有的反應(yīng)裝置在光源加熱器400的四周會(huì)安裝有屏蔽板。在太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)線(xiàn)上，裝好電池基片的基片載板300由反應(yīng)裝置的外部流入到反應(yīng)腔體100的內(nèi)部，反應(yīng)完成后再流出，為了留出基片載板300的運(yùn)動(dòng)空間，光源加熱器400或者屏蔽板與基片載板300之間存在明顯的間隙，這樣帶來(lái)的問(wèn)題有：1.經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行，反應(yīng)形成的沉積物會(huì)逐漸落在光源加熱器400上，影響光源加熱器400的工作效率以及使用壽命；2.光源加熱器400的輻射熱量，會(huì)有一部分通過(guò)四周的間隙散出，導(dǎo)致加熱功率利用率降低。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種MOCVD設(shè)備的反應(yīng)裝置及MOCVD設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，提高光源加熱器的工作效率，延長(zhǎng)光源加熱器的工作壽命。

本實(shí)用新型提供了一種MOCVD設(shè)備的反應(yīng)裝置，包括基片載板和光源加熱器，所述光源加熱器設(shè)置在所述基片載板的下方，其中，所述反應(yīng)裝置還包括：

承載部，在反應(yīng)加熱時(shí)所述承載部與所述基片載板共同形成封閉空間，所述光源加熱器設(shè)置在所述封閉空間內(nèi)。

優(yōu)選地，所述承載部包括加熱器載板和擋板，所述加熱器載板與所述基片載板平行；

所述擋板與所述加熱器載板相互垂直，且位于所述加熱器載板的周側(cè)；

所述擋板的第一端與所述加熱器載板固定連接，所述擋板的第二端在反應(yīng)加熱時(shí)與所述基片載板之間固定連接；

所述加熱器載板、所述擋板和所述基片載板在反應(yīng)加熱時(shí)圍成所述封閉空間；

所述光源加熱器設(shè)置在所述加熱器載板上。

優(yōu)選地，所述擋板的第二端與所述基片載板之間通過(guò)嵌合結(jié)構(gòu)固定連接。

優(yōu)選地，所述嵌合結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述擋板的第二端的端部的凸起和設(shè)置在所述基片載板底部的凹槽；

所述凸起能嵌入在所述凹槽內(nèi)。

優(yōu)選地，所述嵌合結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述擋板的第二端的端部的凹槽和設(shè)置在所述基片載板底部的凸起；

所述凸起能嵌入在所述凹槽內(nèi)。

優(yōu)選地，所述反應(yīng)裝置還包括升降機(jī)構(gòu)，所述升降機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述承載部的底部，用于驅(qū)動(dòng)所述承載部升降；

所述升降機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述承載部升起時(shí)，所述承載部與所述基片載板之間形成所述封閉空間。