[實用新型]MOCVD設備的反應裝置及MOCVD設備有效
| 申請號: | 201821726606.3 | 申請日: | 2018-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN209081979U | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發明(設計)人: | 王志升 | 申請(專利權)人: | 東泰高科裝備科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;王立民 |
| 地址: | 102209 北京市昌平*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱器 光源 反應裝置 基片載板 封閉空間 本實用新型 承載 反應沉積物 工作壽命 加熱 | ||
1.一種MOCVD設備的反應裝置,包括基片載板和光源加熱器,所述光源加熱器設置在所述基片載板的下方,其特征在于,所述反應裝置還包括:
承載部,在反應加熱時所述承載部與所述基片載板共同形成封閉空間,所述光源加熱器設置在所述封閉空間內。
2.根據權利要求1所述的MOCVD設備的反應裝置,其特征在于,所述承載部包括加熱器載板和擋板,所述加熱器載板與所述基片載板平行;
所述擋板與所述加熱器載板相互垂直,且位于所述加熱器載板的周側;
所述擋板的第一端與所述加熱器載板固定連接,所述擋板的第二端在反應加熱時與所述基片載板之間固定連接;
所述加熱器載板、所述擋板和所述基片載板在反應加熱時圍成所述封閉空間;
所述光源加熱器設置在所述加熱器載板上。
3.根據權利要求2所述的MOCVD設備的反應裝置,其特征在于,所述擋板的第二端與所述基片載板之間通過嵌合結構固定連接。
4.根據權利要求3所述的MOCVD設備的反應裝置,其特征在于,所述嵌合結構包括設置在所述擋板的第二端的端部的凸起和設置在所述基片載板底部的凹槽;
所述凸起能嵌入在所述凹槽內。
5.根據權利要求3所述的MOCVD設備的反應裝置,其特征在于,所述嵌合結構包括設置在所述擋板的第二端的端部的凹槽和設置在所述基片載板底部的凸起;
所述凸起能嵌入在所述凹槽內。
6.根據權利要求1-5任一項所述的MOCVD設備的反應裝置,其特征在于,所述反應裝置還包括升降機構,所述升降機構設置在所述承載部的底部,用于驅動所述承載部升降;
所述升降機構驅動所述承載部升起時,所述承載部與所述基片載板之間形成所述封閉空間。
7.一種MOCVD設備,其特征在于,包括權利要求1-6任一項所述的反應裝置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東泰高科裝備科技有限公司,未經東泰高科裝備科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821726606.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種高低真空氣氛隔離裝置
- 下一篇:一種用于化學氣相沉積反應的源瓶
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





