[實用新型]電路

有效

• 申請號: 201821711527.5
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN209120057U
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: V·拉納
• 申請（專利權）人: 意法半導體國際有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電路，其特征在于，包括：

電壓倍增器電路，包括：

第一節點，當所述電壓倍增器電路被配置用于以正電壓升壓模式操作時，被配置為接收第一電壓，并且當所述電路被配置用于以負電壓升壓模式操作時，被配置為輸出負電壓；

第二節點，當所述電壓倍增器電路被配置用于以所述正電壓升壓模式操作時，被配置為輸出超過所述第一電壓的正電壓，并且當所述電路被配置用于以負電壓升壓模式操作時，被配置為接收超過所述負電壓的第二電壓；和

具有相同導電類型并共享公共主體的多個晶體管，所述公共主體未與所述多個晶體管中的任何晶體管的源極連接；以及

偏置生成器電路，被耦合以從所述第一節點接收第一電壓并且從所述第二節點接收第二電壓，所述偏置生成器電路被配置為將所述第一電壓和所述第二電壓中的較低電壓施加到所述公共主體。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述偏置生成器電路包括：第一偏置晶體管和第二偏置晶體管，具有在所述第一節點和所述第二節點之間的、在公共源極處串聯耦合的源極-漏極路徑，并且其中所述第一偏置晶體管和所述第二偏置晶體管的柵極分別交叉耦合到所述第二偏置晶體管和所述第一偏置晶體管的漏極。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述第一偏置晶體管和所述第二偏置晶體管具有與所述電壓倍增器電路的所述多個晶體管相同的導電類型。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述第一偏置晶體管和所述第二偏置晶體管的源極和漏極與所述電壓倍增器電路的所述多個晶體管的源極和漏極形成在所述公共主體中。

5.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電壓倍增器電路包括：

第一中間節點和第二中間節點，分別被電容性地耦合以接收第一時鐘信號的相反的相位；和

第三中間節點和第四中間節點，分別被電容性地耦合以接收第二時鐘信號的相反的相位。

6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述電壓倍增器電路的所述多個晶體管包括以交叉耦合配置連接的第一晶體管和第二晶體管，其中所述第一晶體管耦合在所述第一節點和所述第一中間節點之間，并且其中所述第二晶體管耦合在所述第一節點和所述第二中間節點之間。

7.根據權利要求6所述的電路，其特征在于，還包括以交叉耦合配置連接的第三晶體管和第四晶體管，其中所述第三晶體管耦合在所述第一中間節點和所述第三中間節點之間，并且其中所述第四晶體管耦合在所述第二中間節點和所述第四中間節點之間。

8.根據權利要求7所述的電路，其特征在于，還包括：

第五晶體管，耦合在所述第一中間節點和所述第二節點之間，并且具有耦合到所述第三中間節點的控制端子；和

第六晶體管，耦合在所述第二中間節點和所述第二節點之間，并且具有耦合到所述第四中間節點的控制端子。

9.根據權利要求8所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管至所述第六晶體管都是n溝道MOS晶體管。

10.根據權利要求9所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管至所述第六晶體管以三阱技術實現，所述三阱技術包括p型區域、在所述p型區域中的隔離的n型阱和在所述隔離的n型阱中形成所述公共主體的p型阱。

11.根據權利要求10所述的電路，其特征在于，還包括附加偏置，所述附加偏置用于將所述隔離的n型阱偏置在至少與在所述p型區域處的電壓和在所述公共主體處的電壓一樣高的電壓電平。

12.根據權利要求10所述的電路，其特征在于，所述偏置生成器電路包括：第一偏置晶體管和第二偏置晶體管，具有在所述第一節點和所述第二節點之間的、在公共源極處串聯耦合的源極-漏極路徑，并且其中所述第一偏置晶體管和所述第二偏置晶體管的柵極分別交叉耦合到所述第二偏置晶體管和所述第一偏置晶體管的漏極。