[實用新型]晶圓匣

有效

• 申請號: 201821700532.6
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN208806233U
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 呂宗霖;廖志強;李威震
• 申請（專利權）人: 辛耘企業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦

一種晶圓匣包括承載部與框體。框體連接承載部，并具有晶圓入口。承載部位于晶圓入口的正下方。框體包括多個圍繞晶圓入口的上端部，其中各個上端部朝向遠離承載部的方向延伸及漸縮，以使各個上端部的頂端不形成水平平面。

技術領域

本實用新型涉及一種晶圓的容納裝置，尤其涉及一種晶圓匣(wafer cassette，也可稱晶舟)。

背景技術

現有半導體代工廠通常會使用晶圓匣來容置與搬運晶圓，以使晶圓能整批送到多個站點進行多道制程，例如濕蝕刻與清洗制程。一般而言，當晶圓在進行濕蝕刻或清洗制程時，晶圓匣以及容置在晶圓匣內的晶圓會一起進入機臺內，讓蝕刻液或清潔液能接觸到晶圓與晶圓匣，以蝕刻或清洗晶圓。因此，在完成濕蝕刻或清洗制程后，蝕刻液或清潔液難免會殘留在晶圓匣上，將污染晶圓。

上述殘留的蝕刻液或清潔液會對后續制程造成不利的影響，甚至可能會降低良率(field)，所以殘留的蝕刻液或清潔液必須去除干凈。在完成濕蝕刻或清洗制程后，會干燥晶圓與晶圓匣來移除殘留的蝕刻液或清潔液。然而，即使進行過干燥，有些現有的晶圓匣因為外型緣故而容易殘留蝕刻液或清潔液。例如，目前有的晶圓匣中，較多的蝕刻液或清潔液殘容易留在形成于上緣(top edge)的水平平面上，其中水平平面是指實質上平行于水平面(horizontal)的平面。這會造成干燥時間須要拉長才能將殘留的蝕刻液或清潔液去除干凈，從而導致產能(throughput)降低。

實用新型內容

本實用新型提供了一種晶圓匣，其能減少殘留的液體(例如蝕刻液或清潔液)，從而有利于進行干燥。

本創作所提供的晶圓匣包括承載部以及框體。框體連接承載部，并具有晶圓入口。承載部位于晶圓入口的正下方。框體包括多個圍繞晶圓入口的上端部，其中各個上端部朝向遠離承載部的方向延伸及漸縮，以使各個上端部的頂端不形成水平平面。

在本創作一實施例中，上述框體還包括一對彼此面對面的第一壁體與一對彼此面對面的第二壁體。這些第二壁體彼此面對面，并連接于這些第一壁體，其中這些上端部分別連接于這些第一壁體的上端與這些第二壁體的上端，而承載部連接于這些第二壁體之間。

在本創作一實施例中，各個第一壁體具有外側面，而連接于各個第一壁體的上端部凸出于外側面。

在本創作一實施例中，上述承載部包括一對支撐條。這些支撐條彼此并列，并連接于這些第二壁體。

在本創作一實施例中，相鄰的支撐條與第一壁體之間形成鏤口洞。框體還具有位于晶圓入口正下方的容置空間，而容置空間、鏤口洞與晶圓入口彼此相通。

在本創作一實施例中，各個第二壁體包括本體部以及一對延伸條。這些延伸條從本體部向下延伸，其中本體部連接于這些延伸條與其中一個上端部之間，而這些延伸條分別連接于這些支撐條。

在本創作一實施例中，各個第二壁體的一對彼此相對的側邊由本體部沿著延伸條而向下延伸，且各個側邊具有傾斜邊及/或垂直邊。

在本創作一實施例中，各個第二壁體的各個側邊具有傾斜邊，而第二壁體在這些傾斜邊之間的寬度是從上往下遞減。

在本創作一實施例中，同一個第二壁體的這些延伸條之間形成缺口，而缺口的內緣形成曲面(curve)或至少一斜面。框體還具有位于晶圓入口正下方的容置空間，其中容置空間、缺口與晶圓入口彼此相通。

在本創作一實施例中，至少一第二壁體還包括連接條。連接條連接于這些延伸條之間，以使連接條、這些延伸條以及本體部圍繞成開口，而開口的內緣形成曲面或至少一斜面。框體還具有位于晶圓入口正下方的容置空間，其中容置空間、開口與晶圓入口彼此相通。

在本創作一實施例中，這些第一壁體可拆卸地連接這些第二壁體，而這些第二壁體可拆卸地連接承載部。