[實(shí)用新型]一種晶圓的清洗設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821691229.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209071282U | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳琦南 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 供液管路 控制閥門 混液槽 混液 本實(shí)用新型 清洗設(shè)備 去離子水 顯影液 液體pH 傳感器 晶圓 種晶 自動(dòng)流量控制閥 流量比例控制 沖洗管道 管路連通 出液口 清洗液 入液口 酸堿 連通 清洗 震蕩 衛(wèi)星 | ||
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種晶圓的清洗設(shè)備,包括:第一供液管路、第一控制閥門、第二供液管路、第二控制閥門、混液管路、混液槽以及液體pH傳感器;所述第一供液管路和第二供液管路連通于所述混液管路,所述第一供液管路設(shè)置有所述第一控制閥門,所述第二供液管路設(shè)置有所述第二控制閥門,所述混液管路連通于所述混液槽的入液口,所述混液槽的出液口連接晶圓沖洗管道,并設(shè)置有所述液體pH傳感器。本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案能夠在去離子水的路徑中加入顯影液,并加上自動(dòng)流量控制閥,在去離子水清洗流程中利用流量比例控制加入顯影液來降低酸堿震蕩的影響,將清洗液從13.2逐漸降至7,而不會(huì)產(chǎn)生瞬間的變化,解決了晶圓的衛(wèi)星狀缺陷。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種晶圓的清洗設(shè)備。
背景技術(shù)
目前,衛(wèi)星狀缺陷普遍存在于光刻顯影后,其發(fā)生的原因是未曝光區(qū)的光刻膠接觸顯影液后在去離子水清洗時(shí)因?yàn)轱@影液為pH值13.2,而去離子水pH值7,如圖1所示,造成了酸咸震蕩,使光刻膠產(chǎn)生析出物附著于表面,如圖2所示,造成以打開的洞被回填,影響晶圓的良品率。
需要說明的是,在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本實(shí)用新型的背景的理解,因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種晶圓的清洗設(shè)備,進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的晶圓在清洗過程中酸堿震蕩產(chǎn)生衛(wèi)星狀缺陷等一個(gè)或者多個(gè)問題。
本實(shí)用新型實(shí)施例的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然,或部分地通過本實(shí)用新型的實(shí)踐而習(xí)得。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第一方面,提供一種晶圓的清洗設(shè)備,包括:第一供液管路、第一控制閥門、第二供液管路、第二控制閥門、混液管路、混液槽以及液體pH傳感器;所述第一供液管路和第二供液管路連通于所述混液管路,所述第一供液管路設(shè)置有所述第一控制閥門,所述第二供液管路設(shè)置有所述第二控制閥門,所述混液管路連通于所述混液槽的入液口,所述混液槽的出液口連接晶圓沖洗管道,并設(shè)置有所述液體pH傳感器。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述第一供液管路用于導(dǎo)流去離子水,并通過所述第一控制閥門用于控制所述去離子水的流量在預(yù)設(shè)的第一時(shí)間段內(nèi)從預(yù)設(shè)的第一流量提升至預(yù)設(shè)的第二流量。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述第二供液管路用于導(dǎo)流顯影液,并通過所述第二控制閥門用于控制所述顯影液的流量在預(yù)設(shè)的第一時(shí)間段內(nèi)從預(yù)設(shè)的第二流量降低至預(yù)設(shè)的第一流量。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述混液管路將所述第一供液管路的去離子水和所述第二供液管路的顯影液輸送到所述混液槽。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述混液槽用于混合所述去離子水和所述顯影液,將混合后的液體通過晶圓清洗管道清洗所述晶圓。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述pH傳感器檢測(cè)所述混液槽的出液口液體的pH值,并根據(jù)所檢測(cè)到的pH值控制所述第一控制閥門和所述第二控制閥門,使所述混液槽的出液口液體的pH值從13.2按照預(yù)設(shè)降低速率降低至7。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述第一控制閥門和所述第二控制閥門的流量控制范圍為0ml/min至3000ml/min。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述混液槽的容量為1ml至1000ml。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第二方面,提供一種晶圓的清洗方法,包括:
向混液槽供給去離子水和顯影液;
所述去離子水和顯影液在所述混液槽中進(jìn)行混合,獲得混合液以及所述混合液的pH值;
基于所述混合液的pH值分別控制所述去離子水和顯影液向所述混液槽供給的流量,獲得預(yù)設(shè)pH值的混合液;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





