[實(shí)用新型]一種晶圓的清洗設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821691229.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209071282U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳琦南 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 供液管路 控制閥門(mén) 混液槽 混液 本實(shí)用新型 清洗設(shè)備 去離子水 顯影液 液體pH 傳感器 晶圓 種晶 自動(dòng)流量控制閥 流量比例控制 沖洗管道 管路連通 出液口 清洗液 入液口 酸堿 連通 清洗 震蕩 衛(wèi)星 | ||
1.一種晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,包括:第一供液管路、第一控制閥門(mén)、第二供液管路、第二控制閥門(mén)、混液管路、混液槽以及液體pH傳感器;所述第一供液管路和第二供液管路連通于所述混液管路,所述第一供液管路設(shè)置有所述第一控制閥門(mén),所述第二供液管路設(shè)置有所述第二控制閥門(mén),所述混液管路連通于所述混液槽的入液口,所述混液槽的出液口連接晶圓沖洗管道,并設(shè)置有所述液體pH傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,所述第一供液管路用于導(dǎo)流去離子水,并通過(guò)所述第一控制閥門(mén)用于控制所述去離子水的流量在預(yù)設(shè)的第一時(shí)間段內(nèi)從預(yù)設(shè)的第一流量提升至預(yù)設(shè)的第二流量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,所述第二供液管路用于導(dǎo)流顯影液,并通過(guò)所述第二控制閥門(mén)用于控制所述顯影液的流量在預(yù)設(shè)的第一時(shí)間段內(nèi)從預(yù)設(shè)的第二流量降低至預(yù)設(shè)的第一流量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,所述混液管路將所述第一供液管路的去離子水和所述第二供液管路的顯影液輸送到所述混液槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,所述混液槽用于混合所述去離子水和所述顯影液,將混合后的液體通過(guò)晶圓清洗管道清洗所述晶圓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,所述pH傳感器檢測(cè)所述混液槽的出液口液體的pH值,并根據(jù)所檢測(cè)到的pH值控制所述第一控制閥門(mén)和所述第二控制閥門(mén),使所述混液槽的出液口液體的pH值從13.2按照預(yù)設(shè)降低速率降低至7。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,所述第一控制閥門(mén)和所述第二控制閥門(mén)的流量控制范圍為0ml/min至3000ml/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗設(shè)備,其特征在于,所述混液槽的容量為1ml至1000ml。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





