[實用新型]一種有效減少測量硅片厚度時造成金屬污染的硅片托盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821691092.2
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN209045514U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱強健;賀賢漢
• 申請（專利權(quán)）人: 上海申和熱磁電子有限公司;杭州中芯晶圓半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/683
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司 31203
• 代理人: 顧蘭芳

本實用新型涉及半導體加工技術(shù)領(lǐng)域。一種有效減少測量硅片厚度時造成金屬污染的硅片托盤，包括一硅片托盤本體，硅片托盤本體上開設(shè)有至少三個開口向上的球狀凹槽，球狀凹槽內(nèi)嵌設(shè)有陶瓷制成的滾珠，滾珠的頂部外凸于球狀凹槽；滾珠的外壁與球狀凹槽之間存有間隙，滾珠可轉(zhuǎn)動的設(shè)置在球狀凹槽內(nèi)；硅片托盤本體包括支撐柱以及設(shè)置在支撐柱外圍的缺口圓環(huán)，支撐柱的中央開設(shè)有球狀凹槽；缺口圓環(huán)上也開設(shè)有球狀凹槽，缺口圓環(huán)上的球狀凹槽分為至少三組徑向排布的球狀凹槽組，每組球狀凹槽組均包括至少三個呈環(huán)狀排布的球狀凹槽。本專利的改良點在于:(1)通過將滾珠改良為陶瓷，避免傳統(tǒng)鐵質(zhì)滾珠與硅片接觸找出的劃傷。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導體加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及硅片托盤。

背景技術(shù)

腐蝕是指通過化學反應(yīng)將前道造成的損傷層去除，故腐蝕去除量對于腐蝕這一工序十分重要。而腐蝕去除量是由腐蝕前厚度減去腐蝕后厚度得出的，所以腐蝕前后的厚度測量對于控制腐蝕去除量是至關(guān)重要的一環(huán)。

目前針對于俯視后的硅片是將硅片放置在硅片托盤上，并使用千分表來測量厚度的，因為腐蝕后的硅片表面光滑且容易被污染，然而目前使用的千分表下方擺放硅片的托盤上鑲嵌的是鐵制的圓珠，這個會污染硅片表面造成對于硅片是致命的，然而這個污染往往會忽視，測量后的硅片在投入使用后，良品率低。

實用新型內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型提供一種有效減少測量硅片厚度時造成金屬污染的硅片托盤，以解決上述至少一個技術(shù)問題。

本實用新型的技術(shù)方案是：一種有效減少測量硅片厚度時造成金屬污染的硅片托盤，包括一硅片托盤本體，其特征在于，所述硅片托盤本體上開設(shè)有至少三個開口向上的球狀凹槽，所述球狀凹槽內(nèi)嵌設(shè)有陶瓷制成的滾珠，所述滾珠的頂部外凸于所述球狀凹槽；

所述滾珠的外壁與所述球狀凹槽之間存有間隙，所述滾珠可轉(zhuǎn)動的設(shè)置在所述球狀凹槽內(nèi)；

所述硅片托盤本體包括支撐柱以及設(shè)置在支撐柱外圍的缺口圓環(huán)，所述支撐柱的中央開設(shè)有所述球狀凹槽；

所述缺口圓環(huán)上也開設(shè)有所述球狀凹槽，所述缺口圓環(huán)上的球狀凹槽分為至少三組徑向排布的球狀凹槽組，每組球狀凹槽組均包括至少三個以缺口圓環(huán)的中心軸線為中心線呈環(huán)狀排布的球狀凹槽。

本專利的改良點在于:(1)通過將滾珠改良為陶瓷，保證千分尺的測量精度的同時，避免傳統(tǒng)鐵質(zhì)滾珠與硅片接觸找出的劃傷。

(2)本專利通過將滾珠的外壁與球狀凹槽的之間存有間隙，便于滾珠可轉(zhuǎn)動的設(shè)置在球狀凹槽內(nèi)，當硅片在硅片托盤本體上滑動時，滾珠滾動，避免找出對硅片的劃傷，保護硅片。

(3)本專利通過優(yōu)化球狀凹槽的排布，便于保證對硅片的支撐效果，多個球狀凹槽內(nèi)的滾珠實現(xiàn)硅片的重力分解支撐，此外，通過徑向排布的球狀凹槽組，以適用于不同外徑大小的硅片的支撐效果。

(4)通過支撐托盤為支撐柱與設(shè)置在支撐柱外圍的缺口圓環(huán)構(gòu)成，便于根據(jù)不同的外徑的硅片適當?shù)恼{(diào)整，更換不同外徑的缺口圓環(huán)。或者，在缺口圓環(huán)外圍在增設(shè)大尺寸的缺口圓環(huán)，以適用于多種不同尺寸硅片的支撐需求。

所述缺口圓環(huán)設(shè)有兩個左右對稱的條狀缺口。

便于通過硅片夾從缺口處對硅片進行夾持，還可以實現(xiàn)硅片托盤整體的減重效果。

所述缺口圓環(huán)上還設(shè)有一扇形缺口，扇形缺口位于在所述缺口圓環(huán)的圓周方向上兩個條狀缺口的之間。

減重的同時，通過扇形缺口，便于直接從扇形缺口處拿取硅片。通過條狀缺口與扇形缺口的結(jié)合，適用于硅片的不同拿取方式。

進一步優(yōu)選為，所述缺口圓環(huán)是上下設(shè)置的上環(huán)體與下環(huán)體上下拼接構(gòu)成的缺口圓環(huán)；