[實(shí)用新型]一種有效減少測量硅片厚度時(shí)造成金屬污染的硅片托盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821691092.2
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN209045514U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱強(qiáng)健;賀賢漢
• 申請（專利權(quán)）人: 上海申和熱磁電子有限公司;杭州中芯晶圓半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/683
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203
• 代理人: 顧蘭芳

1.一種有效減少測量硅片厚度時(shí)造成金屬污染的硅片托盤，包括一硅片托盤本體，其特征在于，所述硅片托盤本體上開設(shè)有至少三個(gè)開口向上的球狀凹槽，所述球狀凹槽內(nèi)嵌設(shè)有陶瓷制成的滾珠，所述滾珠的頂部外凸于所述球狀凹槽；

所述滾珠的外壁與所述球狀凹槽之間存有間隙，所述滾珠可轉(zhuǎn)動(dòng)的設(shè)置在所述球狀凹槽內(nèi)；

所述硅片托盤本體包括支撐柱以及設(shè)置在支撐柱外圍的缺口圓環(huán)，所述支撐柱的中央開設(shè)有所述球狀凹槽；

所述缺口圓環(huán)上也開設(shè)有所述球狀凹槽，所述缺口圓環(huán)上的球狀凹槽分為至少三組徑向排布的球狀凹槽組，每組球狀凹槽組均包括至少三個(gè)以缺口圓環(huán)的中心軸線為中心線呈環(huán)狀排布的球狀凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有效減少測量硅片厚度時(shí)造成金屬污染的硅片托盤，其特征在于：所述缺口圓環(huán)設(shè)有兩個(gè)左右對稱的條狀缺口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種有效減少測量硅片厚度時(shí)造成金屬污染的硅片托盤，其特征在于：所述缺口圓環(huán)上還設(shè)有一扇形缺口，扇形缺口位于在所述缺口圓環(huán)的圓周方向上兩個(gè)條狀缺口的之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有效減少測量硅片厚度時(shí)造成金屬污染的硅片托盤，其特征在于：所述缺口圓環(huán)是上下設(shè)置的上環(huán)體與下環(huán)體上下拼接構(gòu)成的缺口圓環(huán)；

所述上環(huán)體上開設(shè)有上下貫穿的通孔，所述下環(huán)體上開設(shè)有開口向上的半球狀凹槽，所述缺口圓環(huán)上的球狀凹槽是由上環(huán)體上的通孔與下環(huán)體上的半球狀凹槽上下對位導(dǎo)通構(gòu)成；

所述支撐柱是上下設(shè)置的上柱體與下柱體向下拼接構(gòu)成的支撐柱；

所述上柱體上開設(shè)有上下貫穿的通孔，所述下柱體上開設(shè)有開口向上的半球狀凹槽，所述支撐柱上的球狀凹槽是由上柱體上的通孔與下柱體上的半球狀凹槽上下對位導(dǎo)通構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種有效減少測量硅片厚度時(shí)造成金屬污染的硅片托盤，其特征在于：所述上柱體與所述下柱體通過螺釘相連；

所述上環(huán)體與所述下環(huán)體通過螺釘相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種有效減少測量硅片厚度時(shí)造成金屬污染的硅片托盤，其特征在于：所述缺口圓環(huán)上開設(shè)有至少三個(gè)用于螺釘穿過的螺紋孔，缺口圓環(huán)上的螺紋孔是開設(shè)在上環(huán)體的盲孔與開設(shè)在下環(huán)體上的通孔導(dǎo)通構(gòu)成的；

所述支撐柱上開設(shè)有用于螺釘穿過的螺紋孔，支撐柱上的螺紋孔是開設(shè)在上柱體的盲孔與開設(shè)在下柱體上的通孔導(dǎo)通構(gòu)成的。