[實用新型]保護環組件及具有該組件的等離子體注入裝置

有效

• 申請號: 201821683354.0
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN208767256U
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/317
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本公開提出一種保護環組件及具有該組件的等離子體注入裝置，保護環組件包括本體以及多個安裝螺絲。本體呈環狀結構，且具有分別朝向和背向處理腔室的安裝表面和外表面，本體開設有多條貫穿安裝表面和外表面的狹縫，狹縫被配置為供等離子體穿過，安裝表面開設有多個安裝孔槽。多個安裝螺絲可拆裝地設于處理腔室，安裝螺絲具有露出于處理腔室的螺帽，螺帽外周設有卡環，卡環的外徑大于安裝孔槽的孔徑。其中，安裝螺絲的螺帽被配置為卡入安裝孔槽中，且卡環過盈配合于安裝孔槽的槽壁。

技術領域

本公開涉及半導體存儲器制備技術領域，尤其涉及一種保護環組件及具有該組件的等離子體注入裝置。

背景技術

保護環(Shield Ring)作為等離子體注入裝置(Plasma Doping，PLAD)的關鍵組成部件之一，通常安裝在等離子體注入裝置的處理腔室(process chamber)中。等離子體注入裝置的保護環通常設置在法拉第杯上面，保護環能夠利用其所開設的孔洞供等離子體通過，并被法拉第杯讀取。

如圖1和圖2所示，圖1中代表性地示出了一種現有保護環的俯視圖；圖2中代表性地示出了圖1中A部分的局部剖視圖。其中，該現有等離子體注入裝置的保護環110通過金屬螺絲120固定在處理腔室，在金屬螺絲120鎖固保護環110后，需使用保護蓋130(shieldring cap)扣蓋在金屬螺絲120上，此保護蓋130由于經過BF₃工藝(三氟化硼離子作為摻雜源的離子摻雜和注入工藝)，其表面會產生蝕刻，因此每次保養都需要更換，避免保護蓋130被擊穿而導致微粒增多和金屬螺絲120裸露而產生放電等問題。

實用新型內容

本公開的一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種無需額外設置需保養更換的保護蓋的保護環組件。

本公開的另一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷，提供一種具有上述保護環組件的等離子體注入裝置。

為實現上述目的，本公開采用如下技術方案：

根據本公開的一個方面，提供一種保護環組件，安裝于等離子體注入裝置中，所述等離子體注入裝置具有處理腔室。其中，所述保護環組件包括本體以及多個安裝螺絲。所述本體呈環狀結構，且具有分別朝向和背向所述處理腔室的安裝表面和外表面，所述本體開設有多條貫穿所述安裝表面和所述外表面的狹縫，所述狹縫被配置為供等離子體穿過，所述安裝表面開設有多個安裝孔槽。多個所述安裝螺絲可拆裝地設于所述處理腔室，所述安裝螺絲具有露出于所述處理腔室的螺帽，所述螺帽外周設有卡環，所述卡環的外徑大于所述安裝孔槽的孔徑。其中，所述安裝螺絲的所述螺帽被配置為卡入所述安裝孔槽中，且所述卡環過盈配合于所述安裝孔槽的槽壁。

根據本公開的其中一個實施方式，所述本體的介于其外表面與所述安裝孔槽的槽底之間的部分的厚度大于1毫米。

根據本公開的其中一個實施方式，所述本體的介于其外表面與所述安裝孔槽的槽底之間的部分的厚度為3毫米～5毫米。

根據本公開的其中一個實施方式，所述安裝螺絲的螺帽外周設有環形凹槽，所述卡環設于所述環形凹槽，且所述卡環的外周露出于所述螺帽的外周。

根據本公開的其中一個實施方式，每個所述安裝螺絲的所述螺帽外周設有多個所述卡環，多個所述卡環沿所述安裝螺絲的軸向間隔分布。

根據本公開的其中一個實施方式，所述卡環的材質為橡膠。

根據本公開的其中一個實施方式，多條所述狹縫與多個所述安裝孔槽在所述本體所對應的環狀路徑上間隔均勻地交替分布。

根據本公開的其中一個實施方式，所述本體上開設有四條狹縫，四條所述狹縫在所述本體所對應的環狀路徑上間隔均勻分布。

根據本公開的其中一個實施方式，所述本體的安裝表面開設有四個所述安裝孔槽，四個所述安裝孔槽在所述本體所對應的環狀路徑上間隔均勻分布。