[實用新型]陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置

有效

• 申請號: 201821680371.9
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN208848909U
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 楊維
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

本實用新型公開一種陣列基板，包括襯底以及形成在所述襯底上的低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管，其中所述氧化物薄膜晶體管為頂柵結構，包括第一有源層、第一柵極、第一源漏極和第一過孔，所述第一有源層對應所述第一過孔的區域覆蓋有導電保護部，第一源漏極通過第一過孔與所述導電保護部連接，本實用新型可對氧化物薄膜晶體管的有源層進行保護，并避免短溝道效應，同時簡化陣列基板的制作工藝，降低成本。

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域。更具體地，涉及一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置。

背景技術

LTPO(LTPS+Oxide，即低溫多晶硅與氧化物半導體的組合)技術結合了低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管這兩種晶體管各自的優勢，在Mobile AMOLED產品的高PPI、低功耗、高畫質等方面具備一定的技術優勢。

實用新型內容

本實用新型的一個目的在于提供一種陣列基板，避免氧化物薄膜晶體管的有源層在制造工藝過程中被氫氟酸腐蝕，并降低工藝復雜度。本實用新型的另一個目的在于提供一種顯示裝置。

為達到上述目的，本實用新型采用下述技術方案：

本實用新型公開了一種陣列基板，包括襯底以及形成在所述襯底上的低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管，其中所述氧化物薄膜晶體管為頂柵結構，包括第一有源層、第一柵極、第一源漏極和第一過孔，

所述第一有源層對應所述第一過孔的區域覆蓋有導電保護部，第一源漏極通過第一過孔與所述導電保護部連接。

優選地，所述導電保護部在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一過孔在所述襯底上的正投影。

優選地，所述導電保護部與所述第一柵極同層設置。

優選地，所述氧化物薄膜晶體管的第一有源層與第一柵極間形成有第一柵絕緣層，所述第一柵絕緣層的寬度大于所述第一柵極的寬度。

優選地，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括第二有源層、第二過孔、通過第二過孔與所述第二有源層連接的第二源漏極以及形成于所述第二有源層上方的第二柵極和第三柵極。

優選地，所述第三柵極與所述氧化物薄膜晶體管的所述導電保護部和所述第一柵極同層設置。

優選地，所述第三柵極與所述氧化物薄膜晶體管的所述導電保護部和所述第一柵極的材料相同。

優選地，所述氧化物薄膜晶體管的第一有源層的材料為氧化銦錫鋅、氧化銦鎵、氧化銦鎵鋅、氧化銦鎢、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鋅錫中的一種或多種的組合。

本實用新型還公開了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。

本實用新型的有益效果如下：

本實用新型通過在氧化物薄膜晶體管的有源層上對應第一過孔的區域設置導電保護部，利用導電保護部對有源層進行有效保護，可實現一次構圖工藝制作過孔后氫氟酸清洗的正常進行，避免了氫氟酸對氧化物薄膜晶體管的有源層的影響，同時簡化了制作流程，進而降低生產成本，同時，氧化物薄膜晶體管采用頂柵結構，導電保護部可與氧化物薄膜晶體管的第一柵極同層設置，可通過一次構圖工藝形成以減少工藝步驟。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細的說明。

圖1示出現有技術中陣列基板的示意圖。

圖2示出本實用新型陣列基板一個具體實施例的示意圖。

圖3示出本實用新型陣列基板一個具體實施例的制作方法的流程圖。

圖4-13示出本實用新型陣列基板的制作過程的剖面示意圖。

附圖說明：